1、超導器件包括：

半導體主體或正常導體主體；并且

至少兩個超導體直接生成在所述半導體或正常導體主體上，它們彼此分隔以便通過所述具有鈣鈦礦型或鉀二鎳氟四(K₂NF₄)型結構的半導體或正常導體和超導體構成超導弱連接。其中含有至少一種是從元素族，鋇(Ba)鍶(Sr)，鈣(Ca)，鎂(Mg)和鐳(Ra)中選出的元素；至少一種是以元素族鑭(La)，釔(Y)，鈰(Ce)，鈧(Se)，釤(Sm)，(Eu)，鉺(Er)，釓(Tb)，鈥(Ho)，鐿(Yb)，釹(Nd)，鐠(Pr)，镥(La)和(Tb)中選出的元素；銅(Ca)；和氧(O)；所述超導體的C-軸方向基本垂直于流徑所述超導體電流的方向。

2、依據權利要求1的超導器件，其中：

所述半導體和正常導體主體二者都在平的基底上生成的厚度一定的膜;并且

所述超導體也是在半導體或正常導體主體上面生成的具有一定的厚度，并且其間留有一定的間隙。

3、依據權利要求2的超導體，還包括一層用于防止上述超導體的超導特性變化的保護膜，這層膜是在所述半導體或正常導體主體上和所述超導體上生成的。

4、依據權利要求2的超導體，還包括用于控制流徑上述超導體之間的電流的控制方法，這種控制方法是在所述半導體和正常導體主體上生成而且將這兩個超導體彼此隔離的電絕緣膜。

5、依據權利要求1的超導器件，其中：

所述超導體是在平的基底上生成的厚度一定的膜，并且其間留有一定間隙，及

所述半導體和正常導體主體二者之一是生成在所述超導體和所述基底上的，并且生成在所述間隙位置上。

6、依據權利要求1的超導器件，其中所述超導體彼此分隔的間距是所述半導體和正常導體主體中相干長度的3-10倍。

7、依據權利要求1的超導器件，其中所述超導具有三明治型結構，在這種結構中，超導體將所述半導體或正常導體主體夾在中間。

8、依據權利要求1的超導器件，其中所述半導體或正常導體主體是由氧化物制備成，它們包含與所述超導體共同的元素和同樣的晶體結構。

9、依據權利要求1的超導器件，其中所述每一個超導晶體的C-軸基本上都平行于所述半導體或正常導體主體與在所述超導弱連接處的所述超導體之間的接觸平面。

10、依據權利要求1的超導器件，其中所述一個超導晶體的C-平面都基本垂直于所述半導體或正常導體主體同在超導弱連接處的超導體之間接觸的表面。

11、依據權利要求10的超導器件，進一步包括用于控制流徑所述超導體之間電流的控制方法，這種方法就是在半導體或正常導體主體上，形成一層能將兩超導體彼此分開的電絕緣膜。

12、依據權利要求1的超導器件，其中包括：

所述半導體或正常導體主體上有一凸狀結構，并且

在所述半導體或正常導體主體上，通過一層電絕緣膜與所述凸狀結構側表面接觸，并在將凸狀結構夾在中間的電絕緣膜上生成所述超導體。

13、依據權利要求1的超導器件，進一步包括用于控制流徑所述超導體之間的電流的控制方法，這種方法之形成以使至少覆蓋是在所述凸狀結構的上表面上的一部分，并由電絕緣膜使其分隔開。

14、依據權利要求2的超導器件，其中所述基底的主表面基本上垂直于其晶體自身的C-軸。

15、依據權利要求14的超導器件，所述半導體和正常導體主體之一和所述超導體的C-軸都沿所述基底的C-軸方向定向。

16、超導器件包括：

基底;

至少在所述基底上生成一種超導體，這種超導體具有鈣鈦礦或鉀二鎳氟四（K₂NiF₄）結構的氧化物生成。其中含有至少一種是從元素族鋇（Ba），鍶（Sr），鈣（Ca），鎂（Mg）和鐳（Ra）中選出的元素;至少一種是從元素族鑭（La），釔（Y）鈰（Ce），鈧（Sc）釤（Sm），（Ea），鉺（Er），釓（Gd），鈥（Ho），鐿（Yb），釹（Nd），鐠（Pr），镥（Lu）和（Tb）中選出的元素;銅（Cu）和氧（O）;還有所述超導體的C-軸方向基本垂直于流徑所述超導體所述電流的方向。