本發(fā)明屬于傳感器與電網(wǎng)隔離的多敏自動(dòng)控制器件。

在已有技術(shù)中，自動(dòng)控制器為了有隔離地控制交流工頻負(fù)載，都要設(shè)置電子放大器等信號(hào)處理電路、隔離輸出器-繼電器和含工頻變壓器的直流電源電路或“開(kāi)關(guān)電源”，使得電路復(fù)雜，應(yīng)用連接端頭多，體積大，耗電、價(jià)格高、不可靠和難于固態(tài)化。

在《機(jī)電元件》1983年1期81～90頁(yè)《80年代及其后的固態(tài)繼電器》譯文中報(bào)導(dǎo)了一系列的固態(tài)繼電器。它具有使用方便、可靠、壽命長(zhǎng)、體積小、耐震動(dòng)、無(wú)噪聲、易于固態(tài)化和系列化生產(chǎn)。但其控制端必須注入功率，只起一個(gè)功率續(xù)接放大作用，不能直接外接以模擬轉(zhuǎn)變量為阻抗的敏感元件為傳感器當(dāng)自動(dòng)控制器使用、并難于多控制端、多“觸點(diǎn)”。

本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)一種使用連接方式象固態(tài)繼電器，具有固態(tài)繼電器特有優(yōu)點(diǎn)，具有廣泛適用性的使用方便、可靠、壽命長(zhǎng)、體積小、價(jià)廉的新型固態(tài)多敏自動(dòng)控制器件，它還利于系列化生產(chǎn)和制成多控制端、多“觸點(diǎn)”。

發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：一個(gè)直流偏置集電極電壓等于基極電壓處于共發(fā)射極組態(tài)的晶體管（這時(shí)是一個(gè)低B晶體管）與一個(gè)有閉合磁路的脈沖變壓器組成一個(gè)能在0.7伏左右電壓下工作的幅度較穩(wěn)定的變壓器正反饋晶體管間隙脈沖振蕩器，由脈沖變壓器中引出兩類繞組，一類是觸發(fā)繞組，與可控硅交流開(kāi)關(guān)中的可控硅控制極相連。一類是控制繞組，與敏感元件相聯(lián)。如果可控硅交流開(kāi)關(guān)打算由位置來(lái)控制時(shí)，脈沖變壓器磁路應(yīng)開(kāi)放，控制繞組用感應(yīng)渦流體代替。當(dāng)敏感元件的阻抗在設(shè)定的門(mén)限值以上或渦流體離脈沖變壓器磁路開(kāi)放部分較遠(yuǎn)時(shí)，上述的振蕩器產(chǎn)生的有一定頻率、幅度和寬度的間隙脈沖應(yīng)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)敏感元件的阻抗在設(shè)定的門(mén)限值以下或渦流體離脈沖變壓器開(kāi)放磁路部分較近時(shí)，應(yīng)主要使上述振蕩器產(chǎn)生的間隙脈沖頻率升高、寬度變窄，可控硅不觸發(fā)而關(guān)斷。上述間隙脈沖振蕩器中的晶體管還通過(guò)負(fù)載繞組與一些降壓元件等組成串聯(lián)二極管正接的穩(wěn)定器并接在可控硅開(kāi)關(guān)兩端（由于在直流偏置上集電極電壓等于基極電壓，它又可看作是一個(gè)二極管）。這樣，既達(dá)到了減少外部連線和節(jié)省元件的目的，又滿足了可控硅開(kāi)關(guān)兩端在電壓變化數(shù)十倍的情況下向脈沖振蕩器提供穩(wěn)定的工作電壓。按照上述的原理和方法制成的裝置。當(dāng)可控硅交流開(kāi)關(guān)通過(guò)負(fù)載與交流電源相連接以后。負(fù)載得失交流電就受敏感元件或與開(kāi)放磁路部分相接近的渦流體的控制了。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有使用簡(jiǎn)便（與固態(tài)繼電器連接相仿）。元件少、可靠、壽命長(zhǎng)，易于集成化、系列化和制成多控制端多“觸發(fā)”，通過(guò)演變還可以制成位控開(kāi)關(guān)等電器。本發(fā)明特別適合于阻抗迅速變化的敏感元件或敏感元件的弱電接點(diǎn)通過(guò)隔離地去自動(dòng)啟閉接在交流電上的大電流高電壓負(fù)載。

下面是本發(fā)明的二個(gè)實(shí)施例。

附圖1是實(shí)施例1。晶體管〔6〕與共同繞在同一閉合高導(dǎo)磁率磁體上的4個(gè)緊耦合的繞組（L₁-L₄〕組成的脈沖變壓器〔7〕組成一個(gè)間隙脈沖振蕩器。控制繞組〔L₄〕應(yīng)與其它繞組可靠絕緣。其絕緣程度與交流電源電壓相適應(yīng)。觸發(fā)繞組〔L₃〕與可控硅〔1〕相連接。控制繞組〔L₄〕與外接敏感元件〔8〕相聯(lián)。可控硅〔1〕與整流橋〔2-5〕組成可控硅交流開(kāi)關(guān)，與外接負(fù)載〔9〕相聯(lián)接。可控硅的控制極觸發(fā)特性應(yīng)與間隙脈沖相適應(yīng)。應(yīng)敏感元件阻抗為2.5千歐時(shí)。可控硅控制極上脈沖頻率約為8千赫茲。脈沖寬度約30微秒。幅度約1.5伏特。可控硅〔1〕開(kāi)通，當(dāng)敏感元件阻抗變?yōu)?.3千歐時(shí)，脈沖頻率約為上升為約50千赫茲。脈沖寬度約為10微秒，可控硅〔1〕關(guān)斷。三極管〔6〕與電阻〔10〕組成穩(wěn)壓器，電容〔11〕是濾液電容。電容〔12-13〕、與電感〔14〕組成高頻退耦電路。防止干擾電網(wǎng)。

附圖2是另一實(shí)施例。

交流開(kāi)關(guān)自雙向可控硅〔1〕組成，整流橋〔2-5〕，降壓電阻〔10〕、電容〔11〕、電容〔13〕與晶體管〔6〕組成串聯(lián)穩(wěn)壓器，晶體管〔6〕與脈沖變壓器〔7〕組成脈沖振蕩器，〔8〕是敏感元件上的弱電接點(diǎn)，〔9〕是負(fù)載，電容〔12〕與電阻〔14〕組成雙向可控硅〔1〕的保護(hù)電路。當(dāng)敏感元件上的接點(diǎn)〔8〕接通或斷開(kāi)時(shí)，雙向可控〔1〕應(yīng)相應(yīng)的阻斷或開(kāi)通。