[發明專利]一種芯片測試裝置、測試系統及測試方法有效
| 申請號： | 202210974524.5 | 申請日： | 2022-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN115436778B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | 劉明;胡忠強;關蒙萌;黃豪;潘偉 | 申請（專利權）人： | 珠海多創科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;G01R33/02 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 測試 裝置 系統 方法 | ||
1.一種芯片測試裝置，其特征在于，包括：
電磁鐵模組，包括多個傾斜磁極以及直接或間接繞設于所述傾斜磁極上的線圈，用于通過所述傾斜磁極對位于芯片測試位置的待測芯片施加磁場；
磁探頭，用于獲取所述芯片測試位置的磁場信息；
電探針，用于與所述待測芯片電連接，獲取所述待測芯片的電性能反饋信息。
2.如權利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述傾斜磁極的延伸方向和所述線圈的軸向傾斜相交，所述傾斜磁極的第一端延伸至所述線圈的下方，所述傾斜磁極的第二端向下向所述芯片測試位置延伸。
3.如權利要求2所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述電磁鐵模組包括偶數個對稱布置的傾斜磁極，各所述傾斜磁極的第二端均指向所述芯片測試位置的中心位置，且所述傾斜磁極的第二端之間形成有間隙結構；
所述磁探頭和所述芯片測試位置分別位于所述間隙結構的上下兩側；
所述磁探頭所檢測的磁場值與所述芯片測試位置的磁場值呈線性關系。
4.如權利要求3所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述電磁鐵模組包括4個所述傾斜磁極及4個線圈，4個所述線圈分別位于一正方形的四個角處；所述傾斜磁極向所述正方形的中心延伸。
5.如權利要求4所述的芯片測試裝置，其特征在于，
沿X軸方向排列的所述線圈中的電流方向相反，且沿Y軸方向排列的所述線圈中的電流方向相同時，所述磁場為X軸方向磁場；
沿X軸方向排列的所述線圈中的電流方向相同，且沿Y軸方向排列的所述線圈中的電流方向相反時，所述磁場為Y軸方向磁場；
所述線圈中的電流方向都相同時，所述磁場為Z軸方向磁場。
6.如權利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述芯片測試裝置還包括：
探針卡，所述電探針設置所述探針卡上，所述探針卡位于所述傾斜磁極和所述芯片測試位置之間，所述探針卡上設置有供所述傾斜磁極的第二端穿過的通孔；所述磁探頭設置于所述探針卡上。
7.如權利要求6所述的芯片測試裝置，其特征在于，所述芯片測試裝置還包括承載所述電磁鐵模組的支撐單元，所述支撐單元包括：
頂板，所述線圈及所述傾斜磁極設置于所述頂板上；
底板，所述底板上具有供所述傾斜磁極貫穿的貫穿口；
連接所述頂板和所述底板的支撐柱；
所述探針卡與所述底板相連。
8.一種芯片測試系統，其特征在于，包括權利要求1-7中任一項所述的芯片測試裝置以及放置待測芯片的芯片承載裝置。
9.一種芯片測試方法，其特征在于，采用權利要求1-7中任一項所述的芯片測試裝置，包括以下步驟：
獲取磁探頭所檢測的磁場信息與芯片測試位置的磁場信息的對應關系；
將待測芯片移動至芯片測試位置，使所述電探針與待測芯片電接觸；
對位于所述芯片測試位置的待測芯片施加磁場，通過磁探頭及所述對應關系確定所述芯片測試位置的磁場信息，通過電探針獲取待測芯片的電性能反饋信息。
10.如權利要求9所述的芯片測試方法，其特征在于：
獲取磁探頭所檢測的磁場信息與芯片測試位置的磁場信息的對應關系的步驟如下：
在芯片測試位置放置磁檢測單元；
通過磁探頭獲取磁探頭在線圈中通入不同電流時所檢測的第一磁場信息；
通過磁檢測單元獲取磁檢測單元在線圈中通入不同電流時所檢測的第二磁場信息；
依據所述第一磁場信息與所述第二磁場信息，確定磁探頭所檢測的磁場信息與芯片測試位置的磁場信息的對應關系。
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