[發(fā)明專利]內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210268890.9 | 申請日： | 2022-03-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114664815B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方健;趙菲;齊釗;喬明;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖歡 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | npn 結(jié)構(gòu) 維持 電壓 tvs 分立 器件 | ||
1.一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于包括：N型襯底(01)、位于N型襯底(01)上方的N型埋層(10)，位于N型埋層(10)上方左側(cè)的第一PWELL區(qū)(20)、位于第一PWELL區(qū)(20)內(nèi)部上方的第一P+接觸區(qū)(22)、位于第一PWELL區(qū)(20)右側(cè)的第一NWELL區(qū)(11)、位于第一NWELL區(qū)(11)內(nèi)部上方的第一N+接觸區(qū)(12)、位于第一NWELL區(qū)(11)右側(cè)的第二PWELL區(qū)(21)、位于第二PWELL區(qū)(21)內(nèi)部上方的第二N+接觸區(qū)(13)和第二P+接觸區(qū)(23)、跨接在NWELL區(qū)(11)和第二PWELL區(qū)(21)中間上方的第三N+區(qū)(14)、第一N+接觸區(qū)(12)和第一P+接觸區(qū)(22)與金屬相連形成金屬陽極(31)；第二N+接觸區(qū)(13)和第二P+接觸區(qū)(23)用金屬相連構(gòu)成金屬陰極(32)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：襯底替換為P型襯底(02)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：第三N+接觸區(qū)(14)右側(cè)設(shè)有第一齊納區(qū)(28)，且第三N+區(qū)(14)的右側(cè)與第一齊納區(qū)(28)的左側(cè)相切。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：第二PWELL區(qū)(21)的上表面設(shè)有柵氧化層(03)，柵氧化層(03)左邊與第三N+區(qū)(14)的右側(cè)相切，柵氧化層(03)左邊與第二N+接觸區(qū)(13)的左側(cè)相切，柵氧化層(03)上方為多晶硅(04)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：N型襯底(01)上方設(shè)有第一深NWELL區(qū)(15)，第一深NWELL區(qū)(15)內(nèi)部上方為第一PWELL區(qū)(20)、第一NWELL區(qū)(11)和第二PWELL區(qū)(21)，第一深NWELL區(qū)(15)的結(jié)深比第一NWELL區(qū)(11)更深。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：襯底替換為P型襯底(02)。
7.一種內(nèi)嵌NPN結(jié)構(gòu)的高維持電壓TVS分立器件，其特征在于：包括P型襯底(02)、位于P型襯底(02)上方的P型埋層(24)，位于P型埋層(24)上方左側(cè)的第二NWELL區(qū)(16)、位于第二NWELL區(qū)(16)內(nèi)部上方的第三P+接觸區(qū)(26)和第四N+接觸區(qū)(18)、位于第二NWELL區(qū)(16)右側(cè)的第三PWELL區(qū)(25)、位于第三PWELL區(qū)(25)內(nèi)部上方的第四P+接觸區(qū)(27)、位于第三PWELL區(qū)(25)右側(cè)的第三NWELL區(qū)(17)、位于第三NWELL區(qū)(17)內(nèi)部上方的第五N+接觸區(qū)(19)、第三P+接觸區(qū)(26)和第四N+接觸區(qū)(18)與金屬相連形成金屬陽極(31)；第四P+接觸區(qū)(27)和第五N+接觸區(qū)(19)用金屬相連構(gòu)成金屬陰極(32)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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