[發明專利]磁性模擬存儲器在審
| 申請號： | 202110687578.9 | 申請日： | 2021-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN113314165A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 賴锜;賴寒楓 | 申請（專利權）人： | 量子新能技術有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/02 | 分類號： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 楊用玲 |
| 地址： | 中國香港九龍九龍灣*** | 國省代碼： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁性 模擬 存儲器 | ||
1.磁性模擬存儲器，其特征在于，包括：
感應層，是信號的讀/寫端口；
隔離層，設置于所述感應層和存儲層之間，用于對所述感應層和所述存儲層進行絕緣；
所述存儲層，由可變磁電容構成，其與功能層耦合，以進行非易失性模擬存儲；
所述功能層，用于所述功能層獲得所述感應層的信號后，與所述存儲層耦合，進行信息的數模轉換或模數轉換，并在所述存儲層進行存儲；
其中，當斷電時，所述存儲層的磁性不變以保留信號，進行非易失性模擬存儲。
2.根據權利要求1所述磁性模擬存儲器，其特征在于，所述存儲層，包括：
第一磁性單元，具有第一磁性區及第二磁性區；
第一傳導區配置于該第一磁性區及該第二磁性區之間；
第二磁性單元，具有第三磁性區及一第四磁性區；
第二傳導區配置于該第三磁性區及該第四磁性區之間；
介電區配置于該第一磁性單元及該第二磁性單元之間。
3.根據權利要求2所述磁性模擬存儲器，其特征在于：
所述介電區，用于進行非易失性模擬存儲；
其中，當所述介電區儲存著數據時，所述第一磁性區及該第二磁性區的雙極極性不相同，并且該第三磁性區及該第四磁性區的雙極極性不相同。
4.根據權利要求3所述磁性模擬存儲器，其特征在于：
所述功能層，還用于將模擬信號轉換為數字信號或將所述數字信號轉換為模擬信號，并將所述信號傳輸至所述存儲層；
所述存儲層，還用于通過與所述功能層耦合，接收信號，進行非易失性模擬存儲。
5.根據權利要求1所述磁性模擬存儲器，其特征在于，所述存儲層，包括：
多個磁性單元，其中每一所述磁性單元具有兩磁性區；
多個介電區分別配置于兩相鄰的所述磁性單元之間；
多個傳導區分別配置于每一所述磁性單元的所述兩磁性區之間。
6.根據權利要求1～5中任一項所述磁性模擬存儲器，其特征在于，所述功能層，包括：晶體管、管理電路和金屬介質。
7.根據權利要求6所述磁性模擬存儲器，其特征在于，還包括：
感測電路，所述感測電路與所述感應層連接，用于管理與控制所述感應層的信號傳輸。
8.根據權利要求7所述磁性模擬存儲器，其特征在于：
所述感測電路，與所述功能層連接，用于連接所述感應層和所述功能層。
9.根據權利要求8所述磁性模擬存儲器，其特征在于，還包括：
基板，用于承載磁性模擬存儲器；
字線，介于所述功能層和所述基板之間。
10.一種磁性模擬存儲方法，其特征在于，包括：
通過設置于感應層和存儲層之間的隔離層，對所述感應層和所述存儲層進行信號絕緣或隔離；
利用功能層與所述存儲層耦合，通過所述存儲層的可磁變電容時間常數的變化存儲模擬信號；
其中，當斷電時，所述存儲層的磁性不變以保留信號，進行非易失性模擬存儲。
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