3.基于鹵素鈣鈦礦-硼摻雜硅的異質結材料的光電位敏傳感器制備方法，其特征在于該制備方法按照下列步驟實現：

一、按照化學計量比為1：1將CsBr與溴化物粉末充分研磨，混合粉末壓片成型，然后在氬氣氣氛中以210-550℃的溫度進行燒結處理，得到鹵素鈣鈦礦靶材；

二、對n型硼摻雜硅基片進行超聲清洗，得到清洗后的硼摻雜硅基片；

三、將本底真空抽至2.5～3.5×10^-4Pa，以清洗后的硼摻雜硅基片作為沉積襯底，調節硼摻雜硅基片的溫度為200-320℃，采用準分子激光器輻照鹵素鈣鈦礦靶材，控制單脈沖能量，脈沖頻率為3-10Hz進行脈沖激光沉積鹵素鈣鈦礦薄膜，沉積結束后自然冷卻，得到鹵素鈣鈦礦-硼摻雜硅異質結材料；

四、分別在鹵素鈣鈦礦-硼摻雜硅異質結材料中的鹵素鈣鈦礦薄膜表面和硼摻雜硅基片的背面鍍上電極，得到基于鹵素鈣鈦礦-硼摻雜硅異質結材料的傳感器；

其中步驟一所述的溴化物為PbBr₂或SnBr₂；當溴化物為SnBr₂時，控制單脈沖能量為250mJ；當步驟一所述的溴化物為PbBr₂時，控制單脈沖能量為100mJ。