[發明專利]制造半導體器件的方法和半導體器件在審
| 申請號： | 202110559473.5 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113363209A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 林琨祐;葛育菱;陳怡臻;廖志騰;陳臆仁 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體器件 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法，包括：
在設置在襯底上方的硬掩模層上方形成犧牲圖案；
在所述犧牲圖案的側壁上形成側壁圖案；
去除所述犧牲圖案，從而留下所述側壁圖案作為第一硬掩模圖案；
通過使用所述第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述硬掩模層，從而形成所述第二硬掩模圖案；以及
通過使用所述第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述襯底，從而形成鰭結構，
其中，每個所述第一犧牲圖案具有錐形形狀，所述錐形形狀的頂部小于底部。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲圖案由多晶硅制成。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一硬掩模圖案由氮化硅制成。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一硬掩模圖案相對于垂直于所述襯底的上表面的方向傾斜。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一硬掩模圖案相對于從其去除相應的一個犧牲圖案的間隔的傾斜角為1-7度。
6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一硬掩模圖案相對于沒有形成犧牲圖案的間隔的傾斜角為1-7度。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲圖案的錐角在5度至15度的范圍內。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模層包括多個介電材料層。
9.一種制造半導體器件的方法，包括：
在襯底上方形成第一硬掩模層；
在所述第一硬掩模層上方形成犧牲層；
在所述犧牲層上方形成第二硬掩模層；
通過圖案化所述第二硬掩模層來形成第一硬掩模圖案；
通過使用所述第一硬掩模圖案作為蝕刻掩模圖案化所述犧牲層來形成犧牲圖案，每個所述犧牲圖案具有錐形形狀；
在所述犧牲圖案的側壁上形成側壁圖案；
去除所述犧牲圖案，從而將所述側壁圖案保留為第二硬掩模圖案；
去除所述第二硬掩模圖案的一部分；
在去除所述第二硬掩模圖案的一部分之后，通過使用所述第二硬掩模圖案的剩余部分作為蝕刻掩模來圖案化所述硬掩模層，從而形成第三硬掩模圖案；以及
通過使用所述第三硬掩模圖案作為蝕刻掩模來圖案化所述襯底，從而形成鰭結構。
10.一種半導體器件，包括：
第一鰭式場效應晶體管，包括第一對鰭結構和第一柵電極；
第二鰭式場效應晶體管，包括第二對鰭結構和第二柵電極，
其中，所述第一對鰭結構的寬度與所述第二對鰭結構的寬度的差為0.01-0.1nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/202110559473.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
