制造半導體裝置的方法包含在基板上形成底層。底層包含具有側鏈目標基團與側鏈有機基團或側鏈光酸產生劑基團的主聚合物鏈的聚合物。主聚合物鏈為聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯酰胺。側鏈目標基團為取代或無取代的C2至C30二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。側鏈有機基團為具有光敏性官能團的C3至C30脂肪族或芳香基，且側鏈光酸產生劑基團為被取代的C3至C50脂肪族或芳香基。在底層上形成光阻層。選擇性地曝光光阻層。顯影曝光的光阻層以形成圖案。

技術領域

本公開內容的一些實施方式是關于底層組成物與半導體裝置的制造方法。

背景技術

當消費電子裝置因應于消費需求而變得越來越小時，這些裝置的獨立組件的尺寸也必須縮小。在有縮小半導體裝置中的獨立裝置(例如晶體管、電阻器、電容器等)的尺寸的壓力的情況下，構成例如移動電話、計算機平板等的主要組件的半導體裝置被迫縮小。

其中一種可用于半導體裝置制程的科技為光微影材料的使用。此種材料應用于被圖案化的層的表面，接著使用本身已被圖案化的能量源來曝光將要被圖案化的層。這種曝光方式修飾光敏性材料的曝光區域的化學與物理性質?？衫眠@種修飾方式，沿著缺少修飾的光敏性材料的未曝光區，在不移除另一區域的情況下來移除一個區域。

然而，隨著獨立裝置的尺寸減少，光微影制程的制程窗口(process window)變得更加緊縮。如此一來，光微影制程的領域發展必須維持縮小裝置尺寸的能力，且需要進一步的改良，以達到期望的設計規范，使得制程可維持產生更小的組件。

發明內容

根據本公開內容的實施方式為一種制造半導體裝置的方法，包含在半導體基板上形成光阻底層。光阻底層包含聚合物，聚合物包含具有多個側鏈目標基團與多個側鏈有機基團或多個側鏈光酸產生劑基團的主聚合物鏈。主聚合物鏈從包含下列的群組中選出：聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚馬來酸酯、聚甲基丙烯腈與聚甲基丙烯酰胺。側鏈目標基團為從包含下列的群組中選出的被取代或無取代的一個或多個：C2至C30的二元醇基團、C1至C30的醛基與C3至C30的酮基。側鏈有機基團為具有至少一個光敏性官能團的C3至C30的脂肪族或芳香族基團，且側鏈光酸產生劑基團為C3至C50的被取代的脂肪族或芳香族基團。在光阻底層上形成光阻層。選擇性地在光化輻射下曝光光阻層。顯影經選擇性曝光的光阻層以形成光阻圖案。

根據本公開內容的另一個實施方式為一種制造半導體裝置的方法，包含在半導體基板上形成光阻底層。光阻底層包含具有多個側鏈目標基團的聚合物。在光阻底層上形成光阻層。在光化輻射下選擇性曝光光阻層與光阻底層。在光化輻射下曝光的光阻底層的多個部分中產生化學報導分子?；瘜W報導分子為從包含以下的群組中選出的一個或多個：電子、氧分子、水、氫離子、氫氧根、陽離子、陰離子與被官能團取代的C1至C10的基團，官能團為從包含以下的群組中所選出的一個或多個基團：氟、氯、溴、碘、羥基、羧酸基、硫醇基、迭氮基、亞磺酰基、烯基、炔基、亞胺基、醚基、酯基、醛基、酮基、酰胺基、砜基、烷基羧基、氰化物基、重烯基、烷醇基、胺基、膦基、亞磷酸基、苯胺基、吡啶基與吡咯基。在光化輻射下曝光的部分光阻底層中，藉由化學報導分子與側鏈目標基團之間的相互作用產生小分子。小分子為從包含以下的群組中選出的一個或多個：電子、氧分子、水、氫離子、氫氧根、陽離子、陰離子與被官能團取代的C1至C10的基團，其中官能團為從包含以下的群組中所選出的一個或多個基團：氟、氯、溴、碘、羥基、羧酸基、硫醇基、迭氮基、亞磺?；?、烯基、炔基、亞胺基、醚基、酯基、醛基、酮基、酰胺基、砜基、烷基羧基、氰化物基、重烯基、烷醇基、胺基、膦基、亞磷酸基、苯胺基、吡啶基與吡咯基。小分子從光阻底層擴散至在光化輻射下曝光的部分光阻底層中。顯影經選擇性曝光的光阻層以形成圖案化光阻層。