本發(fā)明提供一種改善溝槽刻蝕導(dǎo)致晶圓毛邊的方法，提供硅基底，在硅基底上形成硬掩膜層；對硬掩膜層進(jìn)行研磨，使硬掩膜層上表面中心區(qū)域的高度低于邊緣區(qū)域的高度；在硬掩膜層被研磨的中心區(qū)域形成光刻膠層；對光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成用于制作溝槽的光刻膠圖形；按光刻膠圖形刻蝕所述硬掩膜層，硬掩膜層的所述中心區(qū)域形成為多個硬掩膜溝槽；按照硬掩膜溝槽刻蝕所述硅基底，形成多個溝槽。本發(fā)明通過將現(xiàn)有技術(shù)中的硬掩膜層加厚，并在溝槽光刻前增加一步對硬掩膜的區(qū)域研磨，使晶圓邊緣洗邊處硬掩膜比面內(nèi)厚，從而硬掩膜刻蝕后保留一定量的硬掩膜作為邊緣溝槽刻蝕的阻擋層，達(dá)到消除晶圓硅基底毛邊的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種改善溝槽刻蝕導(dǎo)致晶圓毛邊的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體制作工藝中，一些溝槽Trench結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，因為各種原因在溝槽刻蝕(Trend Etch)刻蝕后邊緣存在硅毛邊(Si Grass)的情況，在經(jīng)過酸槽清洗clean過程后硅毛邊(Si Grass)斷裂污染產(chǎn)品，或通過酸槽交叉污染后續(xù)產(chǎn)品，影響產(chǎn)品良率及可靠性。

因此，需要提出一種新的方法來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種改善溝槽刻蝕導(dǎo)致晶圓毛邊的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓刻蝕形成溝槽后，晶圓邊緣產(chǎn)生毛邊的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種改善溝槽刻蝕導(dǎo)致晶圓毛邊的方法，至少包括：

步驟一、提供硅基底，在所述硅基底上形成硬掩膜層；

步驟二、對所述硬掩膜層進(jìn)行研磨，使所述硬掩膜層上表面中心區(qū)域的高度低于邊緣區(qū)域的高度；

步驟三、在所述硬掩膜層被研磨的中心區(qū)域形成光刻膠層；

步驟四、對所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成用于制作溝槽的光刻膠圖形；

步驟五、按所述光刻膠圖形刻蝕所述硬掩膜層，所述硬掩膜層的所述中心區(qū)域形成為多個硬掩膜溝槽；

步驟六、按照所述硬掩膜溝槽刻蝕所述硅基底，形成多個溝槽。

優(yōu)選地，步驟一中形成所述硬掩膜層的方法為沉積法。

優(yōu)選地，步驟三中所述光刻膠層的高度與所述硬掩膜層邊緣的高度一致。

優(yōu)選地，步驟四中形成的所述光刻膠圖形用于制作多個所述溝槽。

優(yōu)選地，步驟五中的所述硬掩膜層的所述邊緣區(qū)域被刻蝕后的高度與所述中心區(qū)域的高度一致。

優(yōu)選地，步驟五中的所述硬掩膜層的所述邊緣區(qū)域作為刻蝕硅基底的阻擋層。

優(yōu)選地，步驟六中刻蝕所述硅基底后，所述硬掩膜層的邊緣覆蓋所述硅基底。

優(yōu)選地，步驟一中的所述硬掩膜層作為刻蝕所述硅基底的阻擋層。

如上所述，本發(fā)明的改善溝槽刻蝕導(dǎo)致晶圓毛邊的方法，具有以下有益效果：本發(fā)明通過將現(xiàn)有技術(shù)中的硬掩膜層加厚，并在溝槽光刻前增加一步對硬掩膜的區(qū)域研磨，使晶圓邊緣洗邊處硬掩膜比面內(nèi)厚，從而硬掩膜刻蝕后保留一定量的硬掩膜作為邊緣溝槽刻蝕的阻擋層，達(dá)到消除晶圓硅基底毛邊的目的。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明中位于硅基底上的硬掩膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示為本發(fā)明中對硬掩膜層研磨后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示為本發(fā)明中形成光刻膠圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示為本發(fā)明中刻蝕所述硬掩膜層形成硬掩膜溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5顯示為本發(fā)明中刻蝕硅基底形成溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖；