本發(fā)明提供一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，提供硅基底，在硅基底上形成氧化層；在氧化層上形成氮化鈦和鈦的復(fù)合層；在復(fù)合層上形成鋁層；在鋁層上形成一層光刻膠層；對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影形成光刻膠圖形；按照光刻膠圖形刻蝕所述鋁層，形成凹槽；刻蝕鋁層采用等離子體刻蝕，并在刻蝕腔中引入氦氣作為刻蝕氣體。本發(fā)明在功率MOS器件制作過程中，對鋁層的刻蝕步驟中增加靜電吸盤表面的等效電壓以及刻蝕腔的壓力，并且引入氦氣作為可是氣體，轟擊較多的光刻膠至鋁層側(cè)壁的表面。可將聚合物成分轉(zhuǎn)化為光刻膠為主的聚合物，使聚合物容易被去除，同時可以促進(jìn)等離子體解離，不容易形成含鋁的聚合物。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法。

背景技術(shù)

功率MOS器件制作過程，MOS結(jié)構(gòu)中位于鋁層上的光阻層和鋁層較厚，厚度大約為4微米，對鋁層進(jìn)行刻蝕后，發(fā)現(xiàn)鋁側(cè)壁的聚合物(polymer)殘留嚴(yán)重，經(jīng)過腔室后無法完全去除。

因此，需要提出一種新的方法來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中功率MOS器件制作過程中無法完全去除鋁側(cè)壁的聚合物的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供硅基底，在所述硅基底上形成氧化層；

步驟二、在所述氧化層上形成氮化鈦和鈦的復(fù)合層；

步驟三、在所述復(fù)合層上形成鋁層；在所述鋁層上形成一層光刻膠層；

步驟四、對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影形成光刻膠圖形；

步驟五、按照所述光刻膠圖形刻蝕所述鋁層，形成凹槽；刻蝕所述鋁層采用等離子體刻蝕，并在刻蝕腔中引入氦氣作為刻蝕氣體。

優(yōu)選地，步驟三中的所述鋁層和所述光刻膠層的厚度為4微米。

優(yōu)選地，步驟五中刻蝕所述鋁層的過程中在所述凹槽的側(cè)壁形成聚合物。

優(yōu)選地，步驟五中形成的所述聚合物的成分包括碳、氧和鋁。

優(yōu)選地，步驟五中的所述聚合物的成分中包含AlC。

優(yōu)選地，步驟五中的所述AlC的含量為0.602％。

優(yōu)選地，步驟五中所述刻蝕腔的壓力為18mT。

優(yōu)選地，步驟五中刻蝕腔中的靜電吸盤表面的等效電壓為389V。

優(yōu)選地，該方法還包括步驟六、去除所述凹槽上的剩余光刻膠。

如上所述，本發(fā)明的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法，具有以下有益效果：本發(fā)明在功率MOS器件制作過程中，對鋁層的刻蝕步驟中增加靜電吸盤表面的等效電壓以及刻蝕腔的壓力，并且引入氦氣作為可是氣體，轟擊較多的光刻膠至鋁層側(cè)壁的表面。可將聚合物成分轉(zhuǎn)化為光刻膠為主的聚合物，使聚合物容易被去除，同時可以促進(jìn)等離子體解離，不容易形成含鋁的聚合物。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明在鋁層上形成光刻膠圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示為本發(fā)明中刻蝕鋁層形成凹槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示為本發(fā)明中去除凹槽上的光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示為本發(fā)明的改善厚鋁刻蝕工藝中聚合物的方法流程圖。

具體實施方式