[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲管理方法、NAND Flash控制器及計算機(jī)存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110406670.3 | 申請日: | 2021-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN113094295A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 余恒昌;謝長華 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳芯邦科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王兆林 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)據(jù) 存儲 管理 方法 nand flash 控制器 計算機(jī) 介質(zhì) | ||
本申請實施例公開了一種數(shù)據(jù)存儲管理方法、NAND Flash控制器及計算機(jī)存儲介質(zhì),使得NAND Flash存儲器在執(zhí)行寫操作時擁有充足的空塊,以避免空塊數(shù)量不足導(dǎo)致的卡頓問題。本申請實施例包括:NAND Flash控制器在執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫操作時,可以不斷地對垃圾塊中的有效數(shù)據(jù)進(jìn)行回收,將垃圾塊中的有效數(shù)據(jù)搬移至回收塊,使得垃圾塊成為空塊,可以源源不斷地補(bǔ)充NAND Flash的空塊資源,從而確保在數(shù)據(jù)寫入時有充足的空塊可以使用,解決了空塊數(shù)量不足導(dǎo)致的卡頓問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請實施例涉及數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域,具體涉及一種數(shù)據(jù)存儲管理方法、NAND Flash控制器及計算機(jī)存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)
與非門閃存NAND Flash是一種大容量存儲器件,具有容量大、讀寫速度快等特點。一個NAND Flash器件從內(nèi)部結(jié)構(gòu)上劃分為若干個block(物理塊)。一個block又劃分為若干個page(物理頁)。block是NAND Flash的最小擦除單位。page是NAND Flash的最小讀寫單位。
NAND Flash采用塊映射方法進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理時,使用了多個物理塊來存儲一個邏輯塊的有效數(shù)據(jù)、無效數(shù)據(jù)以及待寫的空白空間。當(dāng)在短時間內(nèi)需要將多個邏輯塊的數(shù)據(jù)寫入時,若當(dāng)前沒有太多富余的空塊來寫入邏輯塊的數(shù)據(jù),則需要進(jìn)行碎片整理,將某一物理塊存儲的有效數(shù)據(jù)搬移至另一物理塊,從而釋放物理塊的存儲空間并使其成為空塊。其中,空塊是指沒有存儲有效數(shù)據(jù)的物理塊,即空白的物理塊。
但是,現(xiàn)有的碎片整理技術(shù)仍然無法確保NAND Flash有充足的空塊來寫入數(shù)據(jù)。因為,NAND Flash的讀操作和寫操作以page為單位,擦除操作以block為單位,且寫操作之前必須先進(jìn)行擦除操作,也就是說,進(jìn)行碎片整理時是以block為單位進(jìn)行的,在block擦除之后才能向block寫入數(shù)據(jù)。而隨著NAND Flash產(chǎn)品的更新?lián)Q代,單個block的存儲容量會越來越大,如果仍然以block作為基本映射單位,每次碎片整理操作都會導(dǎo)致NAND Flash產(chǎn)生卡頓現(xiàn)象,嚴(yán)重影響用戶使用。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供了一種數(shù)據(jù)存儲管理方法、NAND Flash控制器及計算機(jī)存儲介質(zhì),使得NAND Flash存儲器在執(zhí)行寫操作時擁有充足的空塊,以避免空塊數(shù)量不足導(dǎo)致的卡頓問題。
本申請實施例第一方面提供了一種數(shù)據(jù)存儲管理方法,所述方法應(yīng)用于NANDFlash控制器,所述方法包括:
接收數(shù)據(jù)寫入指令;
響應(yīng)所述數(shù)據(jù)寫入指令,接收所述數(shù)據(jù)寫入指令所指示的待存儲數(shù)據(jù),將所述待存儲數(shù)據(jù)寫入空塊,所述空塊為未存儲有效數(shù)據(jù)的空白物理塊;
更新物理塊的有效頁計數(shù)值VPC值,所述VPC值為一個物理塊中存儲有效數(shù)據(jù)的物理頁的數(shù)量,所述物理塊的種類包括數(shù)據(jù)塊;
確定每個數(shù)據(jù)塊的VPC值,將所有數(shù)據(jù)塊中VPC值最小且不為零的數(shù)據(jù)塊確定為垃圾塊,并任意指定至少一個空塊為回收塊;
將所述垃圾塊中的有效數(shù)據(jù)搬移至所述回收塊,直至所述垃圾塊的VPC值降為零并成為空塊。
本申請實施例第二方面提供了一種NAND Flash控制器,所述NAND Flash控制器應(yīng)用于NAND Flash存儲器,所述NAND Flash控制器包括:
接收單元,用于接收數(shù)據(jù)寫入指令,響應(yīng)所述數(shù)據(jù)寫入指令,接收所述數(shù)據(jù)寫入指令所指示的待存儲數(shù)據(jù),將所述待存儲數(shù)據(jù)寫入空塊,所述空塊為未存儲有效數(shù)據(jù)的空白物理塊;
更新單元,用于更新物理塊的有效頁計數(shù)值VPC值,所述VPC值為一個物理塊中存儲有效數(shù)據(jù)的物理頁的數(shù)量,所述物理塊的種類包括數(shù)據(jù)塊;
確定單元,用于確定每個數(shù)據(jù)塊的VPC值,將所有數(shù)據(jù)塊中VPC值最小且不為零的數(shù)據(jù)塊確定為垃圾塊,并任意指定至少一個空塊為回收塊;
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