[發明專利]高效節能非晶納米晶磁芯及其制作方法在審
| 申請號： | 202110376311.8 | 申請日： | 2021-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN113104854A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 毛文龍;符思靠;毛宇辰;李忞;劉瑛 | 申請（專利權）人： | 深圳晶弘新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;C01F7/02;C01F7/42;H01F1/147;H01F1/153;H01F41/02 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人： | 關向蘭 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區新安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高效 節能 納米 晶磁芯 及其 制作方法 | ||
1.一種高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法包括以下步驟：
提供非晶帶材；
對非晶帶材進行加熱處理，使其晶化；
在晶化處理后的非晶帶材表面包覆絕緣層；
將包覆絕緣層后的非晶帶材進行卷繞，得到高效節能非晶納米晶磁芯。
2.如權利要求1所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，對非晶帶材進行加熱處理，使其晶化的步驟中，包括：
將非晶帶材于400℃-580℃的溫度下進行加熱處理，使其晶化。
3.如權利要求1所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，對非晶帶材進行加熱處理，使其晶化的步驟中，包括：
采用電阻加熱、電流加熱、感應加熱、激光加熱及紅外加熱中的至少一種加熱方式對非晶帶材進行加熱處理，使其晶化。
4.如權利要求3所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，采用感應加熱的加熱方式對非晶帶材進行加熱處理時，感應加熱的頻率范圍為10kHZ至100kHZ。
5.如權利要求3所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，采用感應加熱的加熱方式對非晶帶材進行加熱處理時，感應加熱采用的加熱線圈呈螺旋形，非晶帶材穿設于所述加熱線圈中，非晶帶材在加熱線圈的加熱下進行晶化；
和/或，采用感應加熱的加熱方式對非晶帶材進行加熱處理時，感應加熱采用的加熱線圈由平板形線圈拼接而成，加熱線圈中插設有導磁條，非晶帶材穿設于所述加熱線圈中，非晶帶材在加熱線圈的加熱下進行晶化。
6.如權利要求1至5中任一項所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為氧化鋁或二氧化硅中的至少一種；
和/或，所述絕緣層的厚度范圍為1μm-15μm。
7.如權利要求6所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為氧化鋁時，在晶化處理后的非晶帶材表面包覆絕緣層的步驟中，包括：
在晶化處理后的非晶帶材表面包覆一層鋁層，并將所述鋁層進行氧化，得到氧化鋁絕緣層。
8.如權利要求7所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，在晶化處理后的非晶帶材表面包覆一層鋁層的步驟中，包括：
將鋁進行蒸發，得到鋁原子蒸氣；
將所述鋁原子蒸氣沉積在晶化處理后的非晶帶材表面，冷卻后得到鋁層。
9.如權利要求6所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為二氧化硅時，在晶化處理后的非晶帶材表面包覆絕緣層的步驟中，包括：
將四甲基硅烷與甲醇反應，得到液態二氧化硅；
將液態二氧化硅進行蒸發，得到氣態二氧化硅；
將所述氣態二氧化硅沉積在晶化處理后的非晶帶材表面，冷卻后得到二氧化硅絕緣層。
10.一種高效節能非晶納米晶磁芯，其特征在于，所述高效節能非晶納米晶磁芯采用如權利要求1至9中任一項所述的高效節能非晶納米晶磁芯的制作方法制作得到。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳晶弘新能源科技有限公司，未經深圳晶弘新能源科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/202110376311.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
