[發明專利]一種太陽電池以及制作方法有效
| 申請號： | 202110297175.3 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113066887B | 公開（公告）日： | 2023-01-20 |
| 發明（設計）人： | 張策;朱鴻根;郭文輝;吳志明;張雷;翁妹芝;吳真龍 | 申請（專利權）人： | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0687 | 分類號： | H01L31/0687;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 225101*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽電池 以及 制作方法 | ||
1.一種太陽電池，其特征在于，包括：
層疊的多個子電池以及位于相鄰子電池之間的隧穿結結構，所述隧穿結結構包括層疊的第一超晶格層、隧穿結層以及第二超晶格層，其中，所述隧穿結層位于所述第一超晶格層與所述第二超晶格層之間，所述第一超晶格層和所述第二超晶格層能夠抑制所述隧穿結層中的摻雜離子擴散到相鄰子電池中。
2.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述隧穿結層包括第一子隧穿結層和第二子隧穿結層；所述第一超晶格層包括至少一個第一層疊單元，所述第一層疊單元包括層疊的第一子超晶格層和第二子超晶格層；所述第二超晶格層包括至少一個第二層疊單元，所述第二層疊單元包括層疊的第三子超晶格層和第四子超晶格層。
3.根據權利要求2所述的太陽電池，其特征在于，所述第一子超晶格層為N型摻雜的AlxGaAs層，所述第二子超晶格層為非摻雜的AlyGaAs層，所述第一子隧穿結層為N型摻雜的GaInP層，所述第二子隧穿結層為P型摻雜的AlxGaAs層，所述第三子超晶格層為非摻雜的AlGaInP層，所述第四子超晶格層為P型摻雜的GaInP層。
4.根據權利要求3所述的太陽電池，其特征在于，所述第一子超晶格層為N型摻雜的AlxGaAs層，所述第二子超晶格層為非摻雜的AlyGaAs層，其中，xy。
5.根據權利要求3所述的太陽電池，其特征在于，所述第一子超晶格層和所述第一子隧穿結層為Si摻雜層；或，所述第一子超晶格層和所述第一子隧穿結層為Se摻雜層；或，所述第一子超晶格層和所述第一子隧穿結層為Te摻雜層。
7.根據權利要求3所述的太陽電池，其特征在于，所述第二子隧穿結層和所述第四子超晶格層為C摻雜層；或，所述第二子隧穿結層和所述第四子超晶格層為Mg摻雜層。
8.根據權利要求7所述的太陽電池，其特征在于，所述第二子隧穿結層中的摻雜濃度的取值范圍為2E19～2E20，包括端點值；所述第四子超晶格層中的摻雜濃度的取值范圍為2E19～2E20，包括端點值。
9.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述第一超晶格層厚度的取值范圍為1nm～5nm，包括端點值；所述第二超晶格層厚度的取值范圍為1nm～5nm，包括端點值。
10.一種太陽電池的制作方法，其特征在于，包括：
制作層疊的多個子電池；
在相鄰子電池之間形成隧穿結結構，所述隧穿結結構包括層疊的第一超晶格層、隧穿結層以及第二超晶格層，其中，所述隧穿結層位于所述第一超晶格層與所述第二超晶格層之間，且所述第一超晶格層和所述第二超晶格層能夠抑制所述隧穿結層中的摻雜離子擴散到相鄰子電池中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
