本申請涉及存儲器單元的印痕避免。描述用于操作一個或若干個鐵電存儲器單元的方法、系統及裝置。單元可經寫入有值，所述值希望傳達不同于通常可與所述值相關聯的邏輯狀態。例如，已存儲與一個邏輯狀態相關聯的電荷達一個時段的單元可經重寫以存儲不同電荷，且所述重寫單元仍可經讀取以具有最初存儲的邏輯狀態。可將指示符存儲于鎖存器中以指示當前通過所述單元存儲的所述邏輯狀態是否為所述單元的預期邏輯狀態。單元可(例如)基于事件的發生或基于所述單元已存儲一個值(或電荷)達特定時段的確定而周期性地重寫有相反值。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2017年06月02日、申請號為201780038707.3、發明名稱為“存儲器單元的印痕避免”的發明專利申請案。

交叉參考

本專利申請案主張2017年6月2日申請的標題為“存儲器單元的印痕避免(MemoryCell Imprint Avoidance)”的第PCT/US2017/035758號PCT申請案的優先權，所述PCT申請案主張2016年6月21日申請的Calderoni等人的標題為“存儲器單元的印痕避免(MemoryCell Imprint Avoidance)”的第15/188,886號美國專利申請案的優先權，所述案中的每一者經讓渡給其受讓人且以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

技術領域涉及存儲器單元的印痕避免。

背景技術

下文大體上涉及存儲器裝置且更具體來說涉及維持存儲邏輯值達延長時段的鐵電存儲器單元的性能。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲于各種電子裝置中，例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器及類似物。通過對存儲器裝置的不同狀態進行編程而存儲信息。例如，二進制裝置具有兩個狀態，其通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統中，可存儲兩個以上狀態。為存取所存儲的信息，電子裝置可讀取或感測存儲器裝置中的經存儲狀態。為存儲信息，電子裝置可將狀態寫入或編程于存儲器裝置中。

存在各種類型的存儲器裝置，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器等等。存儲器裝置可為易失性或非易失性。非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)可甚至在缺乏外部電源的情況下存儲數據達延長時段。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨時間丟失其存儲狀態，除非其由外部電源周期性刷新。二進制存儲器裝置可(例如)包含充電電容器或放電電容器。然而，充電電容器可經由泄漏電流隨時間變成放電，從而導致存儲信息的丟失。易失性存儲器的特定特征可提供性能優勢，例如更快的讀取速度或寫入速度，而非易失性存儲器的特征(例如在無周期性刷新的情況下存儲數據的能力)可為有利的。

FeRAM可使用類似于易失性存儲器的裝置架構，但可因為使用鐵電電容器作為存儲裝置而具有非易失性性質。因此，與其它非易失性及易失性存儲器裝置相比，FeRAM裝置可具有改進性能。FeRAM裝置的鐵電存儲器單元可存儲邏輯狀態(例如，邏輯1)達延長時段(例如，數小時、數日、數月等)。在此時段內，鐵電存儲器單元的鐵電電容器內的鐵電域可偏移，偏移的量值及效應可隨時間增大。由于此偏移，鐵電存儲器單元可在后續寫入操作或讀取操作期間經歷降級性能。

發明內容

在一些實例中，一種操作存儲器陣列的方法可包含：將第一邏輯狀態寫入到鐵電存儲器單元；確定所述鐵電存儲器單元已存儲所述第一邏輯狀態達第一時段；及至少部分基于所述確定所述鐵電存儲器單元已存儲所述第一邏輯狀態達所述第一時段而將第二邏輯狀態寫入到所述鐵電存儲器單元，其中所述第二邏輯狀態不同于所述第一邏輯狀態。