[發明專利]一種半導體激光器巴條及其制造方法、電子設備有效
| 申請號： | 202110258561.1 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN113140966B | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 胡海;邱于珍 | 申請（專利權）人： | 深圳瑞波光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎堅怡 |
| 地址： | 518052 廣東省深圳市南山區西麗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體激光器 及其 制造 方法 電子設備 | ||
1.一種半導體激光器巴條，其特征在于，所述半導體激光器巴條包括：
襯底；
第一絕緣層，設置于所述襯底上；
多個半導體激光器單元，設置于所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面上，每個所述半導體激光器單元設有第一電極和第二電極；
連接層，設置于相鄰的兩個所述半導體激光器單元之間，用于連接所述半導體激光器單元的第一電極和另一所述半導體激光器單元的第二電極，或者用于連接所述半導體激光器單元的第二電極和另一所述半導體激光器單元的第一電極；
導電層，設置于所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面上；
有源區，設置于所述導電層遠離所述第一絕緣層的表面上；
第二絕緣層，設置于所述導電層與所述有源區上，所述連接層設置于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的表面上；
所述第一電極遠離所述有源區的表面與所述第二絕緣層遠離所述有源區的表面位于同一水平面，所述連接層設置于所述第二絕緣層遠離所述襯底的表面上以及所述連接層覆蓋于所述第一電極的遠離所述有源區的表面。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器巴條，其特征在于，
相鄰設置的兩個所述半導體激光器單元之間設置有溝槽，以使多個所述半導體激光器單元間隔設置。
3.根據權利要求1所述的半導體激光器巴條，其特征在于，
所述有源區在所述襯底上的投影面積小于所述導電層在所述襯底上的投影面積，以在所述導電層上形成臺階。
4.根據權利要求3所述的半導體激光器巴條，其特征在于，所述第二絕緣層設置有第一窗口和第二窗口；
所述第一窗口位于所述有源區遠離所述第一絕緣層的表面上，所述第一電極通過所述第一窗口連接所述有源區；
所述第二窗口位于所述導電層遠離所述第一絕緣層的表面上，所述第二電極通過所述第二窗口連接所述導電層。
5.根據權利要求1所述的半導體激光器巴條，其特征在于，
所述連接層設置于所述第二絕緣層上，且位于所述第一電極和所述第二電極之間，用于將多個所述半導體激光器單元依次連接在一起。
6.根據權利要求1所述的半導體激光器巴條，其特征在于，
所述有源區包括依次層疊設置的N型包層、N型波導層、第一量子阱層、勢壘層、第二量子阱層、P型波導層以及P型包層。
7.根據權利要求1所述的半導體激光器巴條，其特征在于，
所述連接層的材質為導電金屬。
8.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1-7任意一項所述的半導體激光器巴條。
9.一種半導體激光器巴條的制造方法，其特征在于，所述半導體激光器巴條為權利要求1-7任意一項所述的半導體激光器巴條；
所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底上設置第一絕緣層；
在所述第一絕緣層遠離所述襯底的表面上設置多個半導體激光器單元，其中每個所述半導體激光器單元設有第一電極和第二電極；
通過連接層連接所述半導體激光器單元的第一電極和相鄰設置的所述半導體激光器單元的第二電極，或者用于連接所述半導體激光器單元的第二電極和相鄰設置的所述半導體激光器單元的第一電極。
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