[發(fā)明專利]深度熱成像模塊的系統(tǒng)及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110219508.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-02-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113310582A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 文彪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 來達(dá)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01J5/10 | 分類號(hào)： | G01J5/10;G01J5/08;G01B11/22;G01B11/14 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 深度 成像 模塊 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種深度熱成像模塊，其特征在于，包括：
一熱成像儀陣列，包括：
至少兩個(gè)的多個(gè)熱成像儀，用于從不同的視點(diǎn)獲得一場景的熱輻射的一波長，每個(gè)熱成像儀包括：
一熱成像儀芯片，
一透鏡棧，以及
一焦平面，具有一焦距為f，其中所述熱成像儀相隔一基線距離2h，并基于Z＝2hf/Δ對(duì)感興趣的一物體執(zhí)行一深度測量Z，其中Δ為所述熱成像儀中的一第一熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置與所述熱成像儀中的一第二熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置的差，并且表示所述第一熱成像儀及所述第二熱成像儀的焦平面上的一點(diǎn)相對(duì)于一光軸的一偏移。
2.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱輻射的波長范圍為0.9–1.7μm。
3.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱輻射的波長范圍為3–5μm。
4.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱輻射的波長范圍為7.5-14μm。
5.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱成像儀芯片包括一未冷卻的氧化釩或一非晶硅微輻射熱計(jì)。
6.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱成像儀芯片包括一碲化汞鎘檢測器，銻化銦檢測器，砷化銦鎵檢測器或超晶格結(jié)構(gòu)檢測器。
7.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：通過用戶輸入，運(yùn)動(dòng)激活，邊緣檢測或形狀識(shí)別來識(shí)別感興趣的所述物體；或通過用戶輸入，運(yùn)動(dòng)激活，邊緣檢測和形狀識(shí)別的一組合來識(shí)別感興趣的所述物體。
8.如權(quán)利要求1所述的深度熱成像模塊，其特征在于：所述熱成像儀陣列還包括用于校準(zhǔn)所述至少兩個(gè)的多個(gè)熱成像儀的一快門。
9.一種利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于，包括：
使用多個(gè)熱成像儀獲得熱成像數(shù)據(jù)；
在所述熱成像數(shù)據(jù)中檢測一物體；
注釋所述物體；以及
測量所述物體的深度。
10.如權(quán)利要求9所述的利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于：所述熱成像儀相隔一基線距離，并通過決定所述熱成像儀中的一第一熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置與所述熱成像儀中的一第二熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置的差來對(duì)所述物體進(jìn)行深度測量。
11.如權(quán)利要求9所述的利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于：所述多個(gè)熱成像儀相隔一基線距離2h，并且基于Z與2h/Δ成正比對(duì)所述物體執(zhí)行一深度測量Z，其中Δ為所述熱成像儀中的一第一熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置與所述熱成像儀中的一第二熱成像儀獲得的一圖像中所述物體的位置的差，并且表示所述第一熱成像儀及第二熱成像儀的焦平面上的一點(diǎn)相對(duì)于一光軸的一偏移。
12.如權(quán)利要求9所述的利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于：通過在所述熱成像數(shù)據(jù)中選擇一組像素來注釋所述物體。
13.如權(quán)利要求9所述的利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于：通過對(duì)熱圖像上的相應(yīng)像素進(jìn)行平均來減少噪聲影響。
14.如權(quán)利要求9所述的利用一深度熱成像模塊的深度測量方法，其特征在于：通過測量所述物體的視差對(duì)所述物體執(zhí)行深度測量。
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