[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法有效
| 申請號： | 202110207824.6 | 申請日： | 2021-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN113013344B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發明（設計）人： | 高營昌;黃亞麗;王倩楠 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H10K50/11 | 分類號： | H10K50/11;H10K59/10;H10K71/00;H10K101/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 程紓孟 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件，其中，所述有機電致發光器件包含：
陰極；
陽極；
N型有機半導體，所述N型有機半導體在所述陰極與所述陽極之間；和
P型有機半導體，所述P型有機半導體在所述N型有機半導體與所述陽極之間并且與所述N型有機半導體接觸，
其中，所述P型有機半導體的LUMO能級在所述N型有機半導體的LUMO能級與HOMO能級之間，并且所述N型有機半導體的LUMO能級與所述P型有機半導體的LUMO能級的能級差所對應的電子躍遷發光波段處于近紅外至紫外波長范圍內，從而基于電子在所述N型有機半導體的LUMO能級與所述P型有機半導體的LUMO能級之間的躍遷發光，
其中，所述N型有機半導體的LUMO能級比所述P型有機半導體的LUMO能級高1.6eV以上。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其中，所述N型有機半導體的LUMO能級與所述P型有機半導體的LUMO能級的能級差所對應的電子躍遷發光波段處于可見光波長范圍內。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其中，所述P型有機半導體的LUMO能級在-4.0eV至-6.0eV范圍內。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其中，所述P型有機半導體選自：2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲、2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’-四氰基醌二甲烷、和2，5-二氟-3，6，7，7’，8，8’-六氰基醌二甲烷。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其中，所述N型有機半導體的HOMO能級比所述P型有機半導體的LUMO能級低0.3eV以上。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其中，所述有機電致發光器件還包含：
載流子傳輸體，所述載流子傳輸體在所述N型有機半導體與所述陰極之間并且與所述N型有機半導體接觸，所述載流子傳輸體包含HOMO能級與所述N型有機半導體的HOMO能級的能級差在±0.3eV以內的有機半導體。
7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件，其中，所述HOMO能級與所述N型有機半導體的HOMO能級的能級差在±0.3eV以內的有機半導體是雙極性載流子傳輸有機半導體。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件，其中，
所述雙極性載流子傳輸有機半導體同時包含電子給體單元和電子受體單元。
9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件，其中，所述HOMO能級與所述N型有機半導體的HOMO能級的能級差在±0.3eV以內的有機半導體是空穴傳輸有機半導體。
10.根據權利要求9所述的有機電致發光器件，其中，所述載流子傳輸體是厚度為10nm以下的載流子傳輸層。
11.根據權利要求9所述的有機電致發光器件，其中，所述載流子傳輸體是其中以5％以下的濃度摻雜所述空穴傳輸有機半導體的N型半導體。
12.一種制備權利要求1-11中任一項所述的有機電致發光器件的方法，其中，
通過真空蒸鍍法、旋涂法或噴墨印刷法，制備相互接觸的所述N型有機半導體和所述P型有機半導體。
13.一種包含根據權利要求1-11中任一項所述的有機電致發光器件的顯示面板。
14.一種包含根據權利要求13所述的顯示面板的顯示裝置。
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