[發(fā)明專利]一種喚醒電路的控制方法、裝置以及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110100501.7 | 申請日: | 2021-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN112436576B | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何昕東;張成林;平定鋼;劉鋼 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州富特科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;B60L53/00;B60L53/14 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張萌 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市西湖區(qū)西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 喚醒 電路 控制 方法 裝置 以及 電子設(shè)備 | ||
1.一種喚醒電路的控制方法,其特征在于,所述喚醒電路包括:第一喚醒電路及第二喚醒電路,所述第一喚醒電路及所述第二喚醒電路的輸入端均輸入CP信號;所述方法包括:
檢測所述喚醒電路當(dāng)前的充電模式;
如果所述充電模式是插槍喚醒模式,控制所述第一喚醒電路根據(jù)所述CP信號生成第一喚醒信號;
如果所述充電模式是充電喚醒模式,控制所述第二喚醒電路根據(jù)所述CP信號生成第二喚醒信號;
所述如果所述充電模式是插槍喚醒模式,控制所述第一喚醒電路根據(jù)所述CP信號生成第一喚醒信號的步驟,包括:
當(dāng)充電槍插入用于充電的充電座后,接收CP信號轉(zhuǎn)化后的高電平信號;
控制所述第一喚醒電路根據(jù)所述高電平信號生成第一喚醒信號;
所述第一喚醒電路包括:儲能單元及第一開關(guān)單元,所述儲能單元包括第一電容,所述第一開關(guān)單元包括第一開關(guān)管,所述控制所述第一喚醒電路根據(jù)所述高電平信號生成第一喚醒信號的步驟,包括:
當(dāng)所述第一電容接收到所述高電平信號時,控制所述第一電容向所述第一開關(guān)管傳輸所述高電平信號;
當(dāng)所述第一開關(guān)管接收到所述高電平信號時,控制所述第一開關(guān)管開通,并生成第一喚醒信號;
所述如果所述充電模式是充電喚醒模式,控制所述第二喚醒電路根據(jù)所述CP信號生成第二喚醒信號的步驟,包括:
若所述充電模式是充電喚醒模式,接收所述CP信號轉(zhuǎn)化后的PWM信號;
控制所述第二喚醒電路根據(jù)所述PWM信號生成第二喚醒信號;
所述接收所述CP信號轉(zhuǎn)化后的PWM信號的步驟,包括:
當(dāng)所述CP信號是高電平信號時,接收所述高電平信號轉(zhuǎn)化后的PWM信號;或者,
當(dāng)所述CP信號是低電平信號時,接收所述低電平信號轉(zhuǎn)化后的PWM信號;
所述第二喚醒電路包括:儲能單元、充電單元、第二開關(guān)單元及第三開關(guān)單元,所述第二開關(guān)單元包括第二開關(guān)管,所述第三開關(guān)單元包括第三開關(guān)管、第二電容及第三電容;當(dāng)所述高電平信號轉(zhuǎn)化為PWM信號時,所述控制所述第二喚醒電路根據(jù)所述PWM信號生成第二喚醒信號的步驟,包括:
當(dāng)?shù)谝浑娙萁邮盏剿鯬WM信號時,控制第一電容向所述第二開關(guān)管傳輸所述PWM信號;
當(dāng)所述第二開關(guān)管接收到所述PWM信號時,控制所述第二開關(guān)管開通;
控制所述第二開關(guān)單元和所述充電單元向所述第三開關(guān)單元傳輸所述PWM信號;
當(dāng)所述第三開關(guān)單元中的所述第二電容及所述第三電容接收到所述PWM信號時,控制所述第三開關(guān)管開通,并生成第二喚醒信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的喚醒電路的控制方法,其特征在于,當(dāng)所述低電平信號轉(zhuǎn)化為PWM信號時,所述控制所述第二喚醒電路根據(jù)所述PWM信號生成第二喚醒信號的步驟,包括:
當(dāng)?shù)谝浑娙萁邮盏剿鯬WM信號時,控制第一電容向充電單元傳輸所述PWM信號;
當(dāng)充電單元接收到所述PWM信號時,控制充電單元向第三開關(guān)單元傳輸所述PWM信號;
當(dāng)?shù)谌_關(guān)單元中的第二電容及第三電容接收到所述PWM信號時,控制第三開關(guān)管開通,并生成第二喚醒信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的喚醒電路的控制方法,其特征在于,第一開關(guān)管、第二開關(guān)管及第三開關(guān)管均是由MOS管或者三極管組成。
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