[發(fā)明專利]具有延伸穿過交替材料的堆疊的導電柱的集成組合件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080034289.2 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN113841240B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 羅雙強;I·V·恰雷;J·B·德胡特;R·J·克萊因 | 申請（專利權）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H10B43/27 | 分類號： | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/35;H10B41/27;H01L29/66;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 延伸 穿過 交替 材料 堆疊 導電 集成 組合 | ||
1.一種集成組合件，其包括：
導電寬闊區(qū)，其在導電節(jié)點上方；所述導電節(jié)點包括第一組合物；所述導電寬闊區(qū)的底部表面包括是不同于所述第一組合物的組合物的第二組合物；
堆疊，其在所述導電寬闊區(qū)上方；所述堆疊包括交替的第一層級及第二層級；以及
支柱結構，其垂直地延伸穿過所述堆疊；所述支柱結構中的每一者包括由絕緣襯里橫向環(huán)繞的導電材料柱；所述導電材料包括所述第一組合物；所述柱中的一或多者延伸穿過所述導電寬闊區(qū)以直接接觸所述導電節(jié)點中的一或多者。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成組合件，其中所述第一層級是NAND字線層級，且其中所述第二層級是絕緣層級。
3.根據(jù)權利要求2所述的集成組合件，其中所述NAND字線層級包含金屬，且其中所述絕緣層級包含二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求1所述的集成組合件，其中所述導電寬闊區(qū)及所述堆疊是在第一層次內(nèi)；且其中直接接觸的所述導電節(jié)點中的至少一者與在所述第一層次下方的第二層次的電路系統(tǒng)耦合。
5.根據(jù)權利要求4所述的集成組合件，其中所述第二層次的所述電路系統(tǒng)包含CMOS電路系統(tǒng)。
6.根據(jù)權利要求1所述的集成組合件，其中所述堆疊包含存儲器陣列區(qū)域、鄰近所述存儲器陣列區(qū)域的階梯區(qū)域及鄰近所述存儲器陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；其中所述支柱結構中的第一組延伸穿過所述存儲器陣列區(qū)域，所述支柱結構中的第二組延伸穿過所述外圍區(qū)域，且所述支柱結構中的第三組延伸穿過所述階梯區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求6所述的集成組合件，其中所述存儲器陣列區(qū)域包含彼此上下地堆疊的存儲器層級的至少兩個疊組。
8.根據(jù)權利要求6所述的集成組合件，其中來自所述支柱結構中的所述第一組的所述柱、來自所述支柱結構中的所述第二組的所述柱及來自所述支柱結構中的所述第三組的所述柱在延伸穿過所述導電寬闊區(qū)的所述柱中的所述一或多者當中。
9.根據(jù)權利要求6所述的集成組合件，其中僅來自所述支柱結構中的所述第一組及所述第二組的所述柱在延伸穿過所述導電寬闊區(qū)的所述柱中的所述一或多者當中。
10.根據(jù)權利要求1所述的集成組合件，其進一步包括環(huán)繞延伸穿過所述導電寬闊區(qū)的所述柱中的所述一或多者的區(qū)域的卡圈；所述區(qū)域緊接在所述導電寬闊區(qū)的所述底部表面下面。
11.根據(jù)權利要求10所述的集成組合件，其中所述卡圈包括不同于所述第一組合物及所述第二組合物的第三組合物。
12.根據(jù)權利要求11所述的集成組合件，其中：
所述第一組合物基本上由鎢組成；
所述第二組合物包括硅化鎢；且
所述第三組合物包括金屬硅化物、金屬碳化物及金屬氮化物中的一或多者。
13.根據(jù)權利要求12所述的集成組合件，其中所述第三組合物包括氮化鈦。
14.一種集成組合件，其包括：
導電寬闊區(qū)，其在導電節(jié)點上方；所述導電節(jié)點包括第一組合物；所述導電寬闊區(qū)的底部表面包括不同于所述第一組合物的第二組合物；
堆疊，其在所述導電寬闊區(qū)上方；所述堆疊包括交替的第一層級及第二層級；所述堆疊包含存儲器陣列區(qū)域、鄰近所述存儲器陣列區(qū)域的階梯區(qū)域及鄰近所述存儲器陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；所述導電節(jié)點中的第一組位于所述存儲器陣列區(qū)域下方；以及
支柱結構，其垂直地延伸穿過所述堆疊；所述支柱結構中的每一者包括由絕緣襯里橫向環(huán)繞的導電材料柱；所述支柱結構中的第一組延伸穿過所述存儲器陣列區(qū)域，所述支柱結構中的第二組延伸穿過所述外圍區(qū)域，且所述支柱結構中的第三組延伸穿過所述階梯區(qū)域；所述支柱結構的所述第一組的所述柱延伸穿過所述導電寬闊區(qū)以直接接觸所述導電節(jié)點中的所述第一組。
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