本申請公開了一種MEMS結構的測量系統，用于測量待測MEMS結構的靈敏度，包括：參考MEMS結構，用于接收激勵信號并發生振動；待測MEMS結構，用于接收激勵信號并發生振動；激光測振儀，用于測量參考MEMS結構和待測MEMS結構的振膜的振動幅度；基于參考MEMS結構的振動幅度與待測MEMS結構的振動幅度的比率，以及參考MEMS結構的靈敏度，獲取待測MEMS結構的靈敏度。這種MEMS結構的測量系統無需在消音室中測量靈敏度。

技術領域

本申請涉及MEMS(Microelectro Mechanical Systems的簡寫，即微機電系統)技術領域，具體來說，涉及一種MEMS結構的測量系統。

背景技術

MEMS傳聲器一般將聲能轉換成電能的換能器。用于定義MEMS傳聲器是否正常操作的一個特征是靈敏度。通過將聲能傳送到MEMS傳聲器，然后測量MEMS傳聲器的響應并獲取輸出電壓，從而確定MEMS傳聲器的靈敏度。

在測量傳聲器的靈敏度時，一般采用的方法是：在消音室內使用揚聲器將相等的聲壓分別施加給標準傳聲器和待測傳聲器，標準傳聲器和待測傳聲器均可以將聲壓轉換為電信號。此時，基于已知標準傳聲器的靈敏度以及獲取的電信號來測量獲得待測傳聲器的靈敏度。

但是，該技術需要在消音室內測量傳聲器的靈敏度，限制了傳聲器的測量場地，無法應用在其他場所。

針對相關技術中測量場地局限性的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

實用新型內容

針對相關技術中測量場地受局限的問題，本申請提出一種MEMS結構的測量系統，無需在消音室中測量MEMS結構的靈敏度。

本申請的技術方案是這樣實現的：

根據本申請的一個方面，提供了一種MEMS結構的測量系統，用于測量待測MEMS結構的靈敏度，包括：

參考MEMS結構，用于接收激勵信號并發生振動；

待測MEMS結構，用于接收所述激勵信號并發生振動；

激光測振儀，用于測量所述參考MEMS結構和所述待測MEMS結構的振膜的振動幅度；

基于所述參考MEMS結構的振動幅度與所述待測MEMS結構的振動幅度的比率，以及所述參考MEMS結構的靈敏度，獲取所述待測MEMS結構的靈敏度。

其中，所述測量系統還包括：

信號發生器，用于生成原始激勵信號；

功率放大器，用于接收并放大所述原始激勵信號并輸出所述激勵信號。

其中，所述參考MEMS結構包括壓電式MEMS麥克風，所述待測MEMS結構與所述參考MEMS結構相同。

其中，所述原始激勵信號為掃頻脈沖串信號，頻率范圍為100Hz至20kHz。

其中，所述原始激勵信號為掃頻脈沖串信號，頻率范圍為100Hz至10kHz。

其中，所述壓電式MEMS麥克風的靈敏度范圍為-70dBV/Pa至-30dBV/Pa。

其中，所述參考MEMS結構的靈敏度通過GB T 9401-1988標準或等同標準測定。

其中，測量所述振膜的所述振動幅度等效于測量所述振膜的位移、速度或加速度。

其中，測量所述振膜的所述振動幅度等效于測量所述振膜的速度。

其中，所述激光測振儀包括面外、單點、顯微多普勒測振儀。