[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011640199.6 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112768472B | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 甘政祐;黃國有 | 申請（專利權(quán)）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人： | 梁揮;孟超 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，包括：
一半導體層，位于一基板上；
一柵極絕緣層，位于該半導體層上；
一第一導電層，位于該柵極絕緣層上，且包括：
一第一掃描線；以及
一柵極，連接該第一掃描線，且重疊于該半導體層；
一第一絕緣層，位于該第一導電層上；
一第二導電層，位于該第一絕緣層上，且包括：
一數(shù)據(jù)線；
一源極以及一漏極，分別電性連接該半導體層，且該源極連接該數(shù)據(jù)線；以及
一第一連接電極，重疊于該第一掃描線；
一第二絕緣層，位于該第二導電層上；以及
一第三導電層，位于該第二絕緣層上，且包括：
一第二掃描線，該第一連接電極通過貫穿該第一絕緣層的一第一開口而連接至該第一掃描線，且該第二掃描線通過貫穿該第二絕緣層的一第二開口而連接至該第一連接電極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第二導電層更包括分離于該第一連接電極的一第二連接電極，且該第三導電層更包括：
一第一觸控信號線以及一第二觸控信號線，分別位于該第二掃描線的兩側(cè)，且該第一觸控信號線通過該第二連接電極而電性連接至該第二觸控信號線。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該第一觸控信號線以及該第二觸控信號線重疊于該數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該第一觸控信號線通過貫穿該第二絕緣層的一第三開口而連接至該第二連接電極，且該第二觸控信號線通過貫穿該第二絕緣層的一第四開口而連接至該第二連接電極。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，該第一觸控信號線部分重疊于該柵極以及該半導體層。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第一導電層的材料不同于該第三導電層的材料，且該第二掃描線的電阻值小于該第一掃描線的電阻值。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第二導電層的材料與該第三導電層的材料相同。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，部分該數(shù)據(jù)線位于該第二掃描線與該第一掃描線之間。
9.一種顯示面板的制造方法，其特征在于，包括：
形成一半導體層于一基板上；
形成一柵極絕緣層于該半導體層上；
形成一第一導電層于該柵極絕緣層上，且該第一導電層包括：
一第一掃描線；以及
一柵極，連接該第一掃描線，且重疊于該半導體層；
形成一第一絕緣層于該第一導電層上，該第一絕緣層具有重疊于該第一掃描線的一第一開口；
形成一第二導電層于該第一絕緣層上，且該第二導電層包括：
一數(shù)據(jù)線；
一源極以及一漏極，分別電性連接該半導體層，且該源極連接該數(shù)據(jù)線；以及
一第一連接電極，重疊于該第一掃描線，且通過該第一開口而連接至該第一掃描線；
形成一第二絕緣層于該第二導電層上，該第二絕緣層具有重疊于該第一連接電極的一第二開口；以及
形成一第三導電層于該第二絕緣層上，且該第三導電層包括：
一第二掃描線，通過該第二開口而連接至該第一連接電極。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一第一絕緣材料層于該第一導電層上；
加熱該第一絕緣材料層，使該第一絕緣材料層中的氫離子擴散至該半導體層；以及
圖案化該第一絕緣材料層以形成該第一絕緣層。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，該第二導電層更包括分離于該第一連接電極的一第二連接電極，且該第三導電層更包括：
一第一觸控信號線以及一第二觸控信號線，分別位于該第二掃描線的兩側(cè)，且該第一觸控信號線通過該第二連接電極而電性連接至該第二觸控信號線。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
