2.根據權利要求1所述的筒形半導體制程用高純多晶硅錠的制備方法，其特征在于，

所述加熱熔化的步驟具體包括：打開所述鑄錠爐的加熱器加熱，在所述鑄錠爐內的溫度位于第一預設溫度范圍內時向所述雙層圓坩堝內通入氬氣，在所述鑄錠爐內的壓力達到第二預設壓力范圍后，將所述鑄錠爐內的壓力維持在所述第二預設壓力范圍內；通過所述鑄錠爐的加熱器繼續加熱，在所述鑄錠爐內的溫度達到第二預設溫度范圍后保持所述鑄錠爐內的溫度恒定，直到所述雙層圓坩堝內的多晶硅原料全部變為熔融液體；

所述降溫凝固的步驟具體包括：降低所述鑄錠爐的加熱器的加熱功率，使所述鑄錠爐內的溫度下降，在所述鑄錠爐內的溫度下降至第三預設溫度范圍后打開所述鑄錠爐的保溫籠散熱，同時控制所述雙層圓坩堝內的溫度沿垂直于所述雙層圓坩堝底部向上的方向逐漸上升形成溫度梯度，以使所述雙層圓坩堝內的熔融液體從雙層圓坩堝底部開始向上凝固，直至所述雙層圓坩堝內的熔融液體全部凝固；

所述退火冷卻的步驟具體包括：在所述鑄錠爐內的溫度下降至第四預設溫度范圍時，關閉所述保溫籠開始退火，同時控制所述鑄錠爐的加熱器的加熱功率，使退火結束時所述鑄錠爐內的溫度下降至第五預設溫度范圍；關閉所述鑄錠爐的加熱器，按預設速率打開所述鑄錠爐的保溫籠開始冷卻，直至所述鑄錠爐內的溫度下降至第六預設溫度范圍時結束冷卻。