[發(fā)明專利]間接加熱式陰極離子源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011561805.5 | 申請日： | 2017-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN112687505B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丹尼爾·R·泰格爾;可勞斯·貝克;丹尼爾·艾凡瑞朵 | 申請（專利權(quán)）人： | 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司 |
| 主分類號： | H01J27/02 | 分類號： | H01J27/02;H01J27/08;H01J27/20 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 美國麻薩諸塞州格洛斯特郡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 間接 加熱 陰極 離子源 | ||
1.一種間接加熱式陰極離子源，其特征在于，包括：
腔室，包括相對的兩端以及兩個側(cè)壁，所述側(cè)壁連接所述相對的兩端；
陰極，設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的其中一端上；
細(xì)絲，設(shè)置在所述陰極后面；
磁場，穿過所述腔室且平行于所述側(cè)壁；以及
電極，設(shè)置在所述腔室中且設(shè)置在所述腔室的所述兩個側(cè)壁中的第一個上；
其中對所述電極施加電壓以使所述電極相對于所述腔室被施加電偏壓，且所述陰極電連接到所述腔室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，斥拒極設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的第二個上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述斥拒極電連接至所述腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，斥拒極未設(shè)置在所述腔室中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述電極相對于所述腔室被施加正偏壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述相對的兩端在高度方向以及寬度方向上延伸，且所述兩個側(cè)壁在所述高度方向以及長度方向上延伸，而由所述腔室內(nèi)的所述磁場以及電場所產(chǎn)生的電磁力在所述高度方向上。
7.一種間接加熱式陰極離子源，其特征在于，包括：
腔室，包括相對的兩端以及兩個側(cè)壁，所述側(cè)壁連接所述相對的兩端；
陰極，設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的其中一端上；
細(xì)絲，設(shè)置在所述陰極后面；
第一電極，設(shè)置在所述腔室內(nèi)且設(shè)置在所述腔室的所述兩個側(cè)壁中的第一個上；以及
第二電極，設(shè)置在所述腔室內(nèi)且設(shè)置在所述腔室的所述兩個側(cè)壁中的第二個上；
其中對所述第一電極施加電壓以使所述第一電極相對于所述腔室被施加電偏壓，且所述陰極電連接到所述腔室。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述第二電極相對于所述腔室被施加電偏壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述第一電極與所述第二電極被共用電源施加偏壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述第一電極與所述電極被兩個電源施加偏壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，斥拒極設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的第二個上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，所述斥拒極電連接至所述腔室。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，斥拒極未設(shè)置在所述腔室中。
14.一種間接加熱式陰極離子源，其特征在于，包括：
腔室，包括相對的兩端以及兩個側(cè)壁，所述相對的兩端中的每一端在X方向上以及在Z方向上延伸，所述兩個側(cè)壁連接所述相對的兩端，且所述兩個側(cè)壁中的每一個在Y方向上以及在所述Z方向上延伸；
陰極，設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的其中一端上且電連接至所述腔室；
細(xì)絲，設(shè)置在所述陰極后面；
磁場，在所述Y方向上穿過所述腔室；以及
第一電極，設(shè)置在所述腔室內(nèi)且設(shè)置在所述腔室的所述兩個側(cè)壁中的第一個上；
其中對所述第一電極施加電壓以使所述第一電極相對于所述腔室被施加電偏壓，且在所述Z方向上產(chǎn)生電磁力。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的間接加熱式陰極離子源，其特征在于，斥拒極設(shè)置在所述腔室的所述相對的兩端的第二個上。
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