[發(fā)明專(zhuān)利]一種熱電堆紅外探測(cè)器及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011506956.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112670397A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉瑞文;孔延梅;云世昌;其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開(kāi)姓名 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L35/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L35/32;H01L35/34;H01L35/10;G01J5/12 |
| 代理公司: | 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628 | 代理人: | 王勝利 |
| 地址: | 214046 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 熱電 紅外探測(cè)器 及其 制作方法 | ||
1.一種熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述熱電堆紅外探測(cè)器包括熱電堆結(jié)構(gòu),以及位于所述熱電堆結(jié)構(gòu)第一側(cè)的基底和背腔;其中,所述基底位于所述熱電堆紅外探測(cè)器的冷端,所述背腔位于熱電堆紅外探測(cè)器的熱端;
所述熱電堆結(jié)構(gòu)包括支撐層,以及形成在支撐層上的多層熱電偶結(jié)構(gòu);其中,每層熱電偶結(jié)構(gòu)均包括熱電偶層以及至少覆蓋所述熱電偶層的介質(zhì)層;
所述熱電堆結(jié)構(gòu)還包括互連金屬結(jié)構(gòu),所述互連金屬結(jié)構(gòu)用于將所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)進(jìn)行互連,并形成焊盤(pán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,沿所述熱電堆結(jié)構(gòu)的第一側(cè)至第二側(cè)的方向,各層所述熱電偶結(jié)構(gòu)中的熱電偶層的中心線位于同一直線上,且各層所述熱電偶結(jié)構(gòu)中的熱電偶層的寬度逐漸降低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)還包括,貫穿所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中至少一層介質(zhì)層的多個(gè)接觸孔;
所述互連金屬結(jié)構(gòu)包括形成在所述多個(gè)接觸孔內(nèi),以及形成在所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中頂層熱電偶結(jié)構(gòu)介質(zhì)層上的互連金屬線;
每層所述熱電偶結(jié)構(gòu)中的所述熱電偶層,均通過(guò)所述互連金屬線與相鄰熱電偶結(jié)構(gòu)中的熱電偶層相連接;
和/或,
所述互連金屬線的材質(zhì)為鋁、銅化鋁、鋁硅銅、金或鉑;
和/或,
所述互連金屬線的厚度為0.3μm-2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述互連金屬結(jié)構(gòu)還包括:覆蓋所述互連金屬線,和頂層熱電堆結(jié)構(gòu)中介質(zhì)層的鈍化層;
在所述熱電堆紅外探測(cè)器的冷端,與所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中的底層熱電堆結(jié)構(gòu)中熱電偶層,和頂層熱電堆結(jié)構(gòu)中熱電偶層電連接的所述互連金屬線位于所述介質(zhì)層的部分裸露于鈍化層,以形成所述焊盤(pán);
和/或,
所述鈍化層為氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層中的一層或多層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述支撐層為氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層中的一層或多層;
和/或,
所述支撐層的厚度為0.3μm-3μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)層均為氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層中的一層或多層;
和/或,
所述支撐層的厚度為0.3μm-3μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的熱電堆紅外探測(cè)器,其特征在于,所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中熱電偶層的材質(zhì)為P型多晶硅材料和N型多晶硅材料或P型多晶硅材料和鋁材料;
和/或,
所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)中熱電偶層的厚度為0.2μm-2μm。
8.一種熱電堆紅外探測(cè)器的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基底材料層;
在所述基底材料層上形成自下而上層疊設(shè)置的支撐層和多層熱電偶結(jié)構(gòu),其中,每層熱電偶結(jié)構(gòu)均包括熱電偶層以及至少覆蓋所述熱電偶層的介質(zhì)層;
在所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)上形成互連金屬結(jié)構(gòu),所述互連金屬結(jié)構(gòu)用于將所述多層熱電偶結(jié)構(gòu)進(jìn)行互連后,形成焊盤(pán);
去除位于所述基底材料層第一端的部分基底材料層,形成基底和背腔,得到熱電堆紅外探測(cè)器;其中,所述基底位于所述熱電堆紅外探測(cè)器的冷端,所述背腔位于熱電堆紅外探測(cè)器的熱端。
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H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
H01L35-34 .專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點(diǎn)處進(jìn)行熱交換的方法區(qū)分的





