[發(fā)明專利]一種低熱應(yīng)力芯片封裝用焊錫球及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011479556.5 | 申請日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN112621008B | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙興科;趙增磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京科技大學(xué)順德研究生院 |
| 主分類號： | B23K35/02 | 分類號： | B23K35/02;B23K35/40 |
| 代理公司： | 北京圣州專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 王振佳 |
| 地址： | 528399 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低熱 應(yīng)力 芯片 封裝 焊錫 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種低熱應(yīng)力芯片封裝用焊錫球，其特征在于：包括核心和包覆在核心外部的熔化連接層，所述核心為鉬核，所述熔化連接層為錫殼；
所述鉬核的直徑為0.1mm-0.7mm，所述錫殼的厚度為0.01mm-0.05mm；
鉬核的外表面完全被錫殼覆蓋；
上述低熱應(yīng)力芯片封裝用焊錫球的制備方法，包括以下步驟：
S1、制核，采用球化制粉或霧化制粉的方法將金屬鉬制備成直徑為0.1mm-0.7mm的鉬球，形成鉬核；
S2、鍍殼，采用電鍍或熱浸鍍的方法在步驟S1中得到的鉬核表面鍍一層錫殼，錫殼的厚度為0.01mm-0.05mm，得到焊錫球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熱應(yīng)力芯片封裝用焊錫球，其特征在于：所述鉬核為純鉬，鉬核中鉬的純度不低于99.95％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熱應(yīng)力芯片封裝用焊錫球，其特征在于：所述錫殼為純錫，錫殼中錫的純度不低于99.9％。
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