[發(fā)明專利]感測單元和具有該感測單元的顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011387086.X | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112909048A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 文東珍;鄭禮理;韓仁榮 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 張曉;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單元 具有 顯示裝置 | ||
1.一種感測單元,所述感測單元包括:
第一導電層,包括第一線部分,所述第一線部分包括第一輔助感測線、第二輔助感測線以及連接線,所述連接線具有連接到所述第二輔助感測線的一端;
絕緣層,設置在所述第一導電層上;以及
第二導電層,設置在所述絕緣層上,所述第二導電層包括:電極部分,包括第一感測圖案和在平面圖中與所述第一感測圖案間隔開的第二感測圖案;以及第二線部分,包括與所述第一輔助感測線疊置并且電連接到所述第一感測圖案的第一感測線以及與所述第二輔助感測線疊置并且與所述第一感測線間隔開的第二感測線,
其中,所述第一感測線設置在所述第二感測圖案與所述第二感測線之間,并且所述連接線不與所述第一輔助感測線疊置,所述連接線在所述平面圖中與所述第一感測線交叉,并且通過穿過所述絕緣層限定的接觸孔將所述第二感測線電連接到所述第二感測圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測單元,其中,所述第二導電層還包括連接到所述第二感測圖案的端部的連接電極,并且所述第一導電層還包括通過所述接觸孔之中的第一接觸孔電連接到所述連接電極并且連接到所述連接線的另一端的輔助連接電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感測單元,其中,所述第二感測線通過所述接觸孔之中的第二接觸孔電連接到所述第二輔助感測線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測單元,其中,所述第一感測線包括具有第一線寬的第一線部分和具有大于所述第一線寬的第二線寬的第二線部分,并且所述連接線在所述平面圖中與所述第二線部分交叉。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測單元,其中,所述第一感測線的所述第二線部分的線寬大于所述第二感測線的線寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測單元,其中,開口被限定為穿過所述第一感測線的所述第二線部分并且沿所述第一感測線的縱向方向延伸,并且所述連接線與所述開口疊置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的感測單元,其中,所述第一輔助感測線包括與所述第一線部分疊置的第一輔助部分以及與所述第二線部分疊置并與所述第一輔助部分間隔開的第二輔助部分,并且所述連接線設置在所述第一輔助部分與所述第二輔助部分之間的空間中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測單元,其中,所述第二感測線包括具有彼此不同的線寬的第一線區(qū)域和第二線區(qū)域,并且所述連接線連接到與所述第二線區(qū)域疊置的所述第二輔助感測線,所述第二線區(qū)域具有比所述第一線區(qū)域的線寬大的線寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測單元,其中,所述連接線包括:
第一連接線,與所述第一感測線交叉并且將所述第二感測線和所述第二感測圖案電連接;以及
第二連接線,與所述第一連接線間隔開,與所述第一感測線交叉,并且將所述第二感測線和所述第二感測圖案電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的感測單元,其中,所述第一連接線和所述第二連接線中的每條包括與所述第一感測線交叉并且彼此間隔開的多條子連接線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感測單元,其中,所述電極部分還包括:
多個第一感測電極,沿第一方向延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向上布置,所述多個第一感測電極中的每個包括多個所述第一感測圖案和將所述多個第一感測圖案連接的第一連接圖案;以及
多個第二感測電極,在所述第一方向上布置并沿所述第二方向延伸,所述多個第二感測電極中的每個包括多個所述第二感測圖案,并且所述第二線部分包括分別連接到所述多個第一感測電極的多條所述第一感測線和分別連接到所述多個第二感測電極的多條所述第二感測線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的感測單元,其中,所述第一感測線是所述多條第一感測線之中的最靠近所述多條第二感測線的一條第一感測線,并且所述第二感測線是所述多條第二感測線之中的最靠近所述多條第一感測線的一條第二感測線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





