[發明專利]觸控顯示面板及其制作方法在審
| 申請號： | 202011286992.0 | 申請日： | 2020-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN112394836A | 公開（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發明（設計）人： | 彭斯敏 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041;G06F3/044;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 張曉薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種觸控顯示面板，包括襯底、觸控層、發光器件層和封裝層，其特征在于，所述觸控層和所述發光器件層設于所述襯底上，所述封裝層設于所述觸控層和所述發光器件層上，所述觸控層包括若干觸控電極，所述發光器件層包括若干發光單元，所述觸控電極設于所述發光單元的發光區的側面。
2.如權利要求1所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述觸控顯示面板還包括第一像素定義層和第二像素定義層，所述第一像素定義層設于所述襯底上，若干所述觸控電極設于所述第一像素定義層上，所述第二像素定義層設于若干所述觸控電極和所述第一像素定義層上，若干所述發光單元設于所述第一像素定義層和所述第二像素定義層中。
3.如權利要求2所述的觸控顯示面板，其特征在于，若干所述觸控電極劃分為若干第一電極和若干第二電極，若干所述第一電極呈矩陣排布形成若干平行的第一電極組，若干所述第二電極呈矩陣排布形成若干平行的第二電極組，所述第一電極組與所述第二電極組垂直交叉且絕緣設置以形成若干觸控單元；每一所述第一電極組中的任意兩個相鄰的所述第一電極通過一段連接線電性連接，所述連接線設于所述第一像素定義層上且與所述觸控電極同層設置；每一所述第二電極組中的任意兩個相鄰的所述第二電極通過一段橋接線電性連接，所述橋接線設于所述第二像素定義層上且通過過孔橋接所述第二電極。
4.如權利要求3所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述發光器件層包括陽極層、發光層和陰極層，所述陽極層設于所述襯底上，所述第一像素定義層設于所述陽極層和所述襯底上，所述第二像素定義層設于所述第一像素定義層上，所述發光層包括若干所述發光單元，所述發光單元設于所述陽極層上且位于所述第一像素定義層和第二像素定義層中，所述陰極層設于所述第二像素定義層上，且與所述發光層連接。
5.如權利要求4所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述觸控顯示面板還包括薄膜晶體管層和平坦層，所述薄膜晶體管層設于所述襯底上，所述平坦層設于所述薄膜晶體管層上，所述陽極層設于所述平坦層上且通過過孔與所述薄膜晶體管層中的漏極連接，所述第一像素定義層設于所述陽極層和所述平坦層上。
6.如權利要求4所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述陰極層與所述橋接線同層設置且材料相同。
7.如權利要求2所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述第一像素定義層的厚度的取值范圍為0.5-1μm，所述第二像素定義層的厚度的取值范圍為0.1-0.5μm。
8.一種觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，所述觸控顯示面板的制作方法包括以下步驟：
提供襯底；
制備觸控層和發光器件層，所述觸控層包括若干觸控電極，所述發光器件層包括若干發光單元，所述觸控電極設于所述發光單元的發光區的側面；
制備封裝層，所述封裝層覆蓋所述觸控層和所述發光器件層。
9.如權利要求8所述的觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟“制備觸控層和發光器件層”包括：
制備陽極層；
制備第一像素定義層，所述第一像素定義層開設有過孔以暴露所述陽極層；
在所述第一像素定義層上制備所述觸控電極；
在所述第一像素定義層上制備第二像素定義層，所述第二像素定義層開設有過孔以暴露部分所述觸控電極；
在所述陽極層上制備發光層，所述發光層包括若干所述發光單元；
在所述第二像素定義層、暴露的部分所述觸控電極和所述發光層上制備金屬層；
切斷所述金屬層形成陰極層和若干橋接線，每一所述橋接線通過所述第二像素定義層的過孔橋接兩個相鄰的所述觸控電極，所述陰極層與所述發光層連接。
10.如權利要求9所述的觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，在所述步驟“制備陽極層”之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括：
在所述襯底上制備薄膜晶體管層；
在所述薄膜晶體管層上制備平坦層，所述平坦層開設有過孔以暴露所述薄膜晶體管層中的漏極，所述陽極層設于所述平坦層上且通過所述平坦層的過孔與所述漏極連接，所述第一像素定義層設于所述陽極層和所述平坦層上。
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