本發(fā)明提供一種導(dǎo)熱性構(gòu)件、等離子體處理裝置以及電壓控制方法，該導(dǎo)熱性構(gòu)件能夠穩(wěn)定地傳遞熱，且容易進(jìn)行維護(hù)。提供一種導(dǎo)熱性構(gòu)件，設(shè)置于等離子體處理裝置中，所述等離子體處理裝置具有：第一靜電吸盤，其用于在提供等離子體處理空間的處理容器內(nèi)載置基板；第二靜電吸盤，其設(shè)置于所述第一靜電吸盤的外周；邊緣環(huán)，其以包圍載置所述基板的區(qū)域的方式設(shè)置于所述第二靜電吸盤之上，該邊緣環(huán)的至少一部分由導(dǎo)電性構(gòu)件構(gòu)成；以及邊緣環(huán)用電極，其被施加用于在所述第二靜電吸盤的內(nèi)部的與所述邊緣環(huán)對應(yīng)的區(qū)域?qū)λ鲞吘壄h(huán)進(jìn)行靜電吸附的電壓，其中，所述導(dǎo)熱性構(gòu)件配置在所述第二靜電吸盤與所述邊緣環(huán)之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種導(dǎo)熱性構(gòu)件、等離子體處理裝置以及電壓控制方法。

背景技術(shù)

例如，專利文獻(xiàn)1提出了一種在靜電吸盤和聚焦環(huán)之間配置了由凝膠狀物質(zhì)構(gòu)成的導(dǎo)熱性薄片的等離子體處理裝置。導(dǎo)熱性薄片具有粘附性。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2008-16727號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本公開提供一種能夠穩(wěn)定地傳遞熱且容易進(jìn)行維護(hù)的導(dǎo)熱性構(gòu)件。

用于解決問題的方案

根據(jù)本公開的一個方式，提供一種導(dǎo)熱性構(gòu)件，設(shè)置于等離子體處理裝置中，該等離子體處理裝置具有：第一靜電吸盤，其用于在提供等離子體處理空間的處理容器內(nèi)載置基板；第二靜電吸盤，其設(shè)置于所述第一靜電吸盤的外周；邊緣環(huán)，其以包圍載置所述基板的區(qū)域的方式設(shè)置于所述第二靜電吸盤之上，該邊緣環(huán)的至少一部分由導(dǎo)電性構(gòu)件構(gòu)成；以及邊緣環(huán)用電極，其被施加用于在所述第二靜電吸盤的內(nèi)部的與所述邊緣環(huán)對應(yīng)的區(qū)域?qū)λ鲞吘壄h(huán)進(jìn)行靜電吸附的電壓，其中，所述導(dǎo)熱性構(gòu)件配置于所述第二靜電吸盤與所述邊緣環(huán)之間。

發(fā)明的效果

根據(jù)一個側(cè)面，能夠提供一種能夠穩(wěn)定地傳遞熱且容易進(jìn)行維護(hù)的導(dǎo)熱性構(gòu)件。

附圖說明

圖1是示出實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置的一例的截面示意圖。

圖2是示出放大了實(shí)施方式所涉及的導(dǎo)熱性構(gòu)件的界面的一部分的圖。

圖3是示出實(shí)施方式所涉及的導(dǎo)熱性構(gòu)件(薄片)的厚度與吸附力的關(guān)系的一例的圖。

圖4是示出實(shí)施方式所涉及的導(dǎo)熱性構(gòu)件和靜電吸盤的結(jié)構(gòu)的變形例的圖。

圖5是示出實(shí)施方式所涉及的電壓控制方法的一例的流程圖。

圖6是用于說明實(shí)施方式所涉及的電壓控制方法的圖。

附圖標(biāo)記說明

1：等離子體處理裝置；10：處理容器；10s：等離子體處理空間；14：載置臺；20：靜電吸盤；20a：基板用電極；20c：第一靜電吸盤；20e：第二靜電吸盤；21：邊緣環(huán)用電極；24：邊緣環(huán)；25：導(dǎo)熱性構(gòu)件；29：溫度傳感器；34：上部電極；200：控制裝置；201：控制部；W：基板；TB：表。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖來說明用于實(shí)施本公開的方式。在各附圖中，有時對于相同結(jié)構(gòu)部分賦予相同附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

[等離子體處理裝置]