本文公開了具有部分組刷新的存儲器。在一個實施例中，一種存儲器系統包含存儲器控制器和可操作地連接到所述存儲器控制器的存儲器裝置。所述存儲器裝置包含：(i)存儲器陣列，所述存儲器陣列具有存儲器組，所述存儲器組具有布置在多個存儲器行中的多個存儲器單元；以及(ii)電路系統。在一些實施例中，所述電路系統被配置成在所述存儲器裝置的刷新操作期間禁止所述存儲器組的至少一個存儲器行接收刷新命令，使得所述至少一個存儲器行的存儲器單元不被刷新。在一些實施例中，所述存儲器控制器被配置成跟蹤包含所利用的存儲器單元的存儲器行和/或根據所述存儲器裝置的編程序列將數據寫入所述存儲器行。

技術領域

本公開涉及存儲器系統、裝置以及相關聯的方法。具體地，本公開涉及具有部分存儲器組刷新的存儲器裝置。

背景技術

存儲器裝置廣泛地用于存儲與如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置有關的信息。存儲器裝置通常以計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路和/或外部可移動裝置的形式提供。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性存儲器和非易失性存儲器。包含靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等的易失性存儲器可能需要施加電力的電源以維護其數據。相比之下，非易失性存儲器即使在沒有外部供電的情況下也可以保留其存儲的數據。非易失性存儲器可用于多種技術，包含閃速存儲器(例如，與非(NAND)和或非(NOR))、相變存儲器(PCM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)和磁性隨機存取存儲器(MRAM)等。改進存儲器裝置通常可以包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度或以其它方式降低操作等待時間、增加可靠性、增加數據保留、降低功耗或降低制造成本以及其它度量。

發明內容

本公開的一方面提供了一種存儲器裝置，其中所述存儲器裝置包括：存儲器陣列，所述存儲器陣列包含具有布置在存儲器行中的多個存儲器單元的存儲器組；以及電路系統，所述電路系統被配置成在所述存儲器組的刷新操作期間禁止所述存儲器組的至少一個存儲器行接收刷新命令，使得所述至少一個存儲器行的存儲器單元不被刷新。

本公開的另一方面提供了一種方法，其中所述方法包括：至少部分地基于對存儲器陣列中的存儲器組的寫入操作來啟用所述存儲器組的至少一個存儲器行；接收用于對所述存儲器組進行刷新操作的命令；以及響應于所述刷新命令，刷新所述至少一個存儲器行并且避免刷新所述存儲器組的一或多個其它存儲器行。

本公開的另一方面提供了一種存儲器系統，其中所述存儲器系統包括：存儲器控制器；存儲器裝置，所述存儲器裝置耦接到所述存儲器控制器，其中所述存儲器裝置包含具有存儲器組的存儲器陣列，其中所述存儲器組包含布置在多個存儲器行中的多個存儲器單元，并且其中所述存儲器控制器被配置成跟蹤包含所利用的存儲器單元的存儲器行；以及電路系統，所述電路系統被配置成在所述存儲器組的刷新操作期間禁止所述存儲器組的至少一個存儲器行接收刷新命令，使得所述至少一個存儲器行的存儲器單元不被刷新。

附圖說明

參考以下附圖，可以更好地理解本公開的許多方面。附圖中的組件不一定是按比例的。而是將重點放在清楚地展示本公開的原理。不應將附圖用于將本公開限制于所描繪的具體實施例，而僅是用于解釋和理解。

圖1是示意性地展示了根據本發明技術的各種實施例配置的存儲器系統的框圖。

圖2是示意性地展示了圖1所展示的存儲器裝置的存儲器陣列中的存儲器組區域的框圖。

圖3A和3B是展示了根據本發明技術的各種實施例配置的存儲器裝置和/或存儲器系統的各種例程的流程圖。

圖4是根據本發明技術的各種實施例配置的包含存儲器裝置的系統的示意圖。

具體實施方式