本發明提供了一種第一層金屬布局方法，包括計算得到繞線格點線間距，以所述第一層金屬a或所述第一層金屬b的長度方向為第一方向，然后以所述第一方向為延伸方向以及間距為所述繞線格點線間距設置多條繞線格點線，其中，所述第一層金屬a和所述第一層金屬b的長度方向相同，沿所述繞線格點線設置第一層金屬c，沿所述繞線格點線設置第一層金屬e和第一層金屬f，增加了第一層金屬的布線通道數，提高了布通率，且有源區和柵極接觸孔數量大于或等于一個，無需額外占用第一層金屬的布線通道，接觸孔數量增加，從而增加了版圖的可靠性。本發明還提供了一種集成電路。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種第一層金屬布局方法及集成電路。

背景技術

集成電路領域中，各個標準單元為了布線方便往往會設計成相同的高度，寬度可以依據實際情況進行調整。

現階段中，大多數標準單元都是單元內部用第一層金屬布線，橫向布線和縱向布線都有，并且電源軌線和地軌線均通過第一層金屬橫向連接在一起，這就導致各個標準單元在拼接呈陣列后，幾乎無法使用第一層金屬進行走線，從而浪費了第一層金屬的繞線資源，導致第一層金屬的布通率較低。此外，由于單個標準單元內部只用第一層金屬走線，從而需要去掉一些有源區和柵極上的接觸孔，從而導致版圖的可靠性降低。

公開號為CN107464802A的中國發明專利公開了一種集成電路和標準單元庫，集成電路包括至少一個單元。所述至少一個單元包括：由單元邊界限定的單元區；電源線結構，其平行于單元邊界并沿單元邊界在第一方向上延伸，并且包括沿單元邊界在第一方向上延伸的第一電源線、在第一電源線之上在第一方向上彼此間隔開的多個金屬島、以及在所述多個金屬島之上在第一方向上延伸的第二電源線；以及信號線結構，其在與第一電源線和所述多個金屬島相同的水平處設置在單元區中。所述多個金屬島的每個與信號線結構的在和所述多個金屬島相同的水平處的部分之間的分隔距離等于或大于臨界分隔距離。該發明專利中，浪費了第一層金屬的繞線資源，導致第一層金屬的布通率較低，且需要去掉一些有源區和柵極上的接觸孔，從而導致標準單元的可靠性降低。

因此，有必要提供一種新型的第一層金屬布局方法及集成電路以解決現有技術中存在的上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種第一層金屬布局方法及集成電路，提高了版圖中第一層金屬的布通率，增加了版圖的可靠性。

為實現上述目的，本發明的所述第一層金屬布局方法，包括以下步驟：

根據晶體管源端的第一層金屬a的寬度以及第一層金屬之間的最小距離計算得到第一層金屬的最小寬度，或根據晶體管漏端的第一層金屬b的寬度以及第一層金屬之間的最小距離計算得到第一層金屬的最小寬度；

根據所述第一層金屬a的中分線到所述第一層金屬b的中分線的距離以及所述最小寬度計算所述第一層金屬a的中分線到所述第一層金屬b的中分線之間按最小寬度布置所述第一層金屬的數量，其中，所述第一層金屬的數量取整數；

根據所述第一層金屬a的中分線到所述第一層金屬b的中分線的距離以及所述第一層金屬的數量計算得到繞線格點線間距；

以所述第一層金屬a或所述第一層金屬b的長度方向為第一方向，然后以所述第一方向為延伸方向以及間距為所述繞線格點線間距設置多條繞線格點線，其中，所述第一層金屬a和所述第一層金屬b的長度方向相同，且所述第一層金屬a、所述第一層金屬b和晶體管的柵極均位于所述繞線格點線上；

沿所述繞線格點線設置第一層金屬c，以連接同一繞線格點線上相應的第一層金屬a或第一層金屬b，以完成標準單元內第一層金屬的布局；

沿所述繞線格點線設置第一層金屬e，以實現所述標準單元之間的連接；

沿所述繞線格點線設置第一層金屬f，以實現所述標準單元外其它單元的連接。