[發(fā)明專利]凸塊結(jié)構(gòu)及制造凸塊結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011193620.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112750705A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張慶裕;鄭明達(dá);翁明暉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 趙艷 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種制造凸塊結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
在基板上形成鈍化層；
在所述基板上方形成金屬襯墊結(jié)構(gòu)，其中所述鈍化層圍繞所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)；
在所述鈍化層和所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)上方形成包含聚酰亞胺的聚酰亞胺層；以及
在所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)和所述聚酰亞胺層上形成金屬凸塊，其中所述聚酰亞胺是二酐和二胺的反應(yīng)產(chǎn)物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括選自由以下項(xiàng)組成的組的一者：環(huán)烷烴、稠環(huán)、雙環(huán)烷烴、三環(huán)烷烴、雙環(huán)烯烴、三環(huán)烯烴、螺烷烴和雜環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述鈍化層包括：
在所述基板上方形成第一鈍化層；以及
在所述第一鈍化層上方形成第二鈍化層，
其中所述第一鈍化層和所述第二鈍化層由不同的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述聚酰亞胺層包括：
在所述鈍化層上方形成包含第一聚酰亞胺的第一聚酰亞胺層；以及
形成包含第二聚酰亞胺的第二聚酰亞胺層，
其中所述第一聚酰亞胺和所述第二聚酰亞胺中的每一者是二酐和二胺的反應(yīng)產(chǎn)物，
其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括選自由以下項(xiàng)組成的組的一者：環(huán)烷烴、稠環(huán)、雙環(huán)烷烴、三環(huán)烷烴、雙環(huán)烯烴、三環(huán)烯烴、螺烷烴和雜環(huán)，并且
所述第一聚酰亞胺和所述第二聚酰亞胺是不同的。
4.一種制造凸塊結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
在基板上形成鈍化層；
在所述基板上方形成金屬襯墊結(jié)構(gòu)，其中所述鈍化層圍繞所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)；
在所述鈍化層和所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)上方形成包含聚酰亞胺的聚酰亞胺層；以及
在所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)和所述聚酰亞胺層上形成金屬凸塊，
其中所述金屬凸塊與所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)電接觸，并且
所述聚酰亞胺層通過粘附促進(jìn)劑粘附至所述鈍化層和所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)，其中所述粘附促進(jìn)劑化學(xué)鍵合至所述聚酰亞胺、所述鈍化層和所述金屬襯墊結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述形成所述聚酰亞胺層包括：
組合聚酰胺酸、粘附促進(jìn)劑和第一溶劑以形成聚酰胺酸組合物；
將所述聚酰胺酸組合物施加到所述鈍化層和金屬襯墊結(jié)構(gòu)；以及
將所述聚酰胺酸組合物加熱至在150℃至350℃范圍內(nèi)的溫度，以將所述聚酰胺酸轉(zhuǎn)化為所述聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述聚酰胺酸是二酐和二胺的反應(yīng)產(chǎn)物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括選自由以下項(xiàng)組成的組的一者：環(huán)烷烴、稠環(huán)、雙環(huán)烷烴、三環(huán)烷烴、雙環(huán)烯烴、三環(huán)烯烴、螺烷烴和雜環(huán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述粘附促進(jìn)劑包含螯合基團(tuán)、硅烷醇基團(tuán)和交聯(lián)劑基團(tuán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述螯合基團(tuán)包含N、O、S或鹵素中的至少一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述螯合基團(tuán)包括硫醇、環(huán)硫乙烷、硫雜丙烯環(huán)、硫雜環(huán)丁烷、硫雜環(huán)戊烷、噻吩、硫雜環(huán)己烷、噻喃、硫雜環(huán)庚烷、硫環(huán)庚三烯、2,3-二氫噻吩、2,5-二氫噻吩、羥基、羧基、環(huán)氧乙烷、環(huán)氧乙烯、氧雜環(huán)丁烷、氧代戊烷、呋喃、環(huán)氧乙烷、吡喃、環(huán)氧己烷、氧雜環(huán)庚三烯、2,5-二氫呋喃、2,3-二氫呋喃、胺、氮丙啶、氮雜環(huán)丁烷、氮雜環(huán)丁二烯、吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、氮雜環(huán)庚烷、氮雜環(huán)庚三烯、1-吡咯啉、2-吡咯啉、3-吡咯啉、二氫吡啶、氰基、氟基、氯基、溴基或碘基中的至少一者。
10.一種凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)包括：
鈍化層，所述鈍化層圍繞金屬襯墊；
聚酰亞胺層，所述聚酰亞胺層包含設(shè)置在所述鈍化層和所述金屬襯墊上方的聚酰亞胺；和
金屬凸塊，所述金屬凸塊設(shè)置在所述金屬襯墊和所述聚酰亞胺層上方，
其中所述金屬凸塊與所述金屬襯墊電接觸，并且
所述聚酰亞胺是二酐和二胺的反應(yīng)產(chǎn)物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括選自由以下項(xiàng)組成的組的一者：環(huán)烷烴、稠環(huán)、雙環(huán)烷烴、三環(huán)烷烴、雙環(huán)烯烴、三環(huán)烯烴、螺烷烴和雜環(huán)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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