1.一種銅互連工藝中MIM電容的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底，所述襯底上制作有第x銅金屬連線層；x為大于等于1的整數；

在所述第x銅金屬連線層的表面形成絕緣介質層；

通過光刻工藝在所述絕緣介質層的表面同時定義對位標記圖案和MIM下極板圖案，所述MIM下極板圖案的下方存在銅金屬線，所述對位標記圖案的下方不存在銅金屬線；

根據所述對位標記圖案和MIM下極板圖案進行刻蝕，所述絕緣介質層中形成MIM下極板圖案，所述襯底中形成對位標記；

形成MIM下極板金屬層；

對所述襯底進行CMP處理，在所述絕緣介質層中形成MIM下極板，且所述對位標記區域保留有臺階；

依次形成所述MIM電容的介電層、MIM上極板金屬層；

根據所述對位標記進行對位，并通過光刻工藝定義MIM上極板圖案；

根據所述MIM上極板圖案刻蝕所述MIM上極板金屬層、所述MIM電容的介電層，形成MIM電容。