[發明專利]基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器及其加工方法在審

申請號：	202011131772.0	申請日：	2020-10-21
公開（公告）號：	CN112194096A	公開（公告）日：	2021-01-08
發明（設計）人：	王任鑫;劉驍;朱曉航;張國軍;張文棟	申請（專利權）人：	中北大學
主分類號：	B81B7/02	分類號：	B81B7/02;B81C1/00
代理公司：	太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100	代理人：	朱源;侯小幸
地址：	030051***	國省代碼：	山西;14
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摘要：
搜索關鍵詞：	基于 mems 壓電仿生耳蝸纖毛感受器及其加工方法
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【權利要求書】：

1.一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：包括基底和聚丙烯纖毛（1），所述基底包括金屬銅上電極（2）、聚偏氟乙烯薄膜（3）與金屬鋁下電極（4），所述聚偏氟乙烯薄膜（3）位于金屬銅上電極（2）與金屬鋁下電極（4）之間，所述金屬銅上電極（2）、聚偏氟乙烯薄膜（3）與金屬鋁下電極（4）均固定連接且外圍呈方框狀，所述外圍的方框內部其中一對相對的邊之間為波浪形狀的纖毛固定梁（5），所述聚丙烯纖毛（1）垂直固定于纖毛固定梁（5）的中心處。

2.根據權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：所述金屬銅上電極（2）的厚度為1-15um。

3.根據權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：所述聚偏氟乙烯薄膜（3）的厚度為10-100um，長寬為800um*800um。

4.根據權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：所述金屬鋁下電極（4）的厚度為1-15um。

5.根據權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：所述聚丙烯纖毛（1）的高度為600um-950um，半徑為25-50um。

6.根據權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器，其特征在于：所述纖毛固定梁（5）的寬度在80um-120um之間，縱向位移長度為600um。

7.權利要求1所述的一種基于MEMS的壓電式仿生耳蝸纖毛感受器的加工方法，其特征在于：包括如下步驟：

①將表面帶有金屬層的聚偏氟乙烯薄膜（3）貼在四寸片上，光刻，厚膠；

②腐蝕聚偏氟乙烯薄膜（3）上表面的金屬，接下來采用等離子體刻蝕聚偏氟乙烯薄膜（3）到金屬鋁下電極（4）；

③聚偏氟乙烯薄膜（3）上部的光刻膠結余，以在接下來的腐蝕過程中保護金屬銅上電極（2）；

④在金屬鋁下電極（4）的背面沾藍膜，用以保護金屬鋁下電極（4）；

⑤最后腐蝕金屬銅上電極（2）形成波浪形的纖毛固定梁（5）的形狀，去除光刻膠和藍膜。

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