[發明專利]一種等離子體和光子晶體復合隱身結構有效
| 申請號: | 202011127557.3 | 申請日: | 2020-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN112346163B | 公開(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發明(設計)人: | 程立;李志剛;陳宗勝;陳蕾蕾;汪家春;呂相銀;時家明;趙大鵬 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號: | G02B5/08 | 分類號: | G02B5/08;G02B1/00;H01Q17/00 |
| 代理公司: | 合肥兆信知識產權代理事務所(普通合伙) 34161 | 代理人: | 孟祥龍 |
| 地址: | 410073 *** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 光子 晶體 復合 隱身 結構 | ||
1.一種非金屬材料的激光紅外多波段兼容隱身薄膜,其特征在于:包括等離子體隱身層及光子晶體隱身薄膜,所述光子晶體隱身薄膜貼敷于等離子體隱身層之上;利用等離子體實現雷達頻段隱身,利用光子晶體實現遠紅外波段隱身,光子晶體隱身薄膜與等離子體層相互兼容,光子晶體隱身薄膜允許雷達波無損透射,同時抑制等離子體的可見光、紅外光波段輻射,等離子體隱身層可控可調,工作時實現寬頻段隱身,非工作狀態不影響雷達工作;
所述等離子體隱身層由多根圓柱形介質管排列組合構成,所述介質管兩端施加交流電壓,使得氣體擊穿從而形成柱狀等離子體,介質管兩端交流電壓調節范圍為80V~230V,頻率為20~80kHz;
所述圓柱形介質管的直徑為1~3cm,且介質管內部充稀有氣體He、Ne、Ar、Kr、Xe或Hg;
所述光子晶體隱身薄膜結構為SUB|(H1L1)^2(H1L1)^2(H2L2)^4|AIR)結構的光子晶體,其中H,L分別表示兩種不同的材料,H材料的折射率4-6,L材料的折射率1-3;SUB代表基底,AIR表示空氣,“^”后的數字是周期數,H1和H2表示H材料不同的厚度,共同構成了遠紅外波段的高反射。
2.根據權利要求1所述的非金屬材料的激光紅外多波段兼容隱身薄膜,其特征在于:所述光子晶體隱身薄膜由高折射率和低折射率非金屬材料構成,其中,遠紅外波段的發射率≤0.4,2-18GHz的雷達波透過率≥98%。
3.根據權利要求1所述的非金屬材料的激光紅外多波段兼容隱身薄膜,其特征在于:所述等離子體通過多根圓柱形介質管的不同排列組合分別形成二維平板結構雷達隱身層、三維曲面結構雷達隱身層。
4.根據權利要求1所述的非金屬材料的激光紅外多波段兼容隱身薄膜,其特征在于:等離子體陣列間隔一定距離排列形成組合式等離子屏,且等離子屏包括隱身和透明兩種工作狀態;其中,隱身狀態在2-18GHz的雷達波平均反射衰減≥10dB,透明狀態在2-18GHz的雷達波透過率≥98%。
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