本發(fā)明涉及導(dǎo)熱吸波材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種寬頻導(dǎo)熱吸波墊片及其制備方法，寬頻導(dǎo)熱吸波墊片包括如下質(zhì)量份數(shù)的組分：乙烯基聚硅氧烷：100～150份；聚二甲基硅氧烷：5～50份；導(dǎo)熱粉體：150～750份；改性吸波粉體：150～450份；揮發(fā)性溶劑：10～50份；含氫硅油5～30份；抑制劑1～10份；催化劑0.5～5份。在提高吸波填料的填充，以及提高吸波性能的同時，大幅度提升材料的導(dǎo)熱性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)熱吸波材料的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種寬頻導(dǎo)熱吸波墊片及其制備方法。

背景技術(shù)

吸波材料廣泛用于電子產(chǎn)品中，隨著電子產(chǎn)品的功能越來越強大，而體積越來越小，越來越薄，除了功能性零部件，留給其他輔助零部件的空間也越來越小，也就需要在有限的空間內(nèi)盡量整合其他輔助功能。以導(dǎo)熱功能和電磁波吸收功能填料兩項整合到一個體系中，做成導(dǎo)熱吸波材料應(yīng)運而生。

目前導(dǎo)熱吸波材料主要以墊片形式使用，同時兼具了一定的導(dǎo)熱和電磁吸收性能，然由于在5G時代，在熱管理和抗EMI(電磁干擾)等方面對產(chǎn)品提出了更高的要求。

當(dāng)下仍存在導(dǎo)熱-吸波性能難兼顧等難題，如果填料僅填充吸波填料，一般導(dǎo)熱系數(shù)k值只有0.5～1W/m.k，要實現(xiàn)高導(dǎo)熱的吸波導(dǎo)熱墊片，需要吸波填料與導(dǎo)熱填料搭配填充，導(dǎo)熱填料過多的添加對吸波性能有一定的衰減作用，并導(dǎo)致在導(dǎo)熱吸波材料在低頻電磁波尤其是3GHZ以下的吸收效果較弱。

現(xiàn)有技術(shù)中在提高吸波填料的填充，提高吸波性能的同時，會造成材料的導(dǎo)熱性能大幅度降低的問題。另外，導(dǎo)熱填料和吸波填料的過多填充，會導(dǎo)致墊片的硬度以及其力學(xué)性能有很大影響。目前，對于導(dǎo)熱吸波材料，在采用導(dǎo)熱填料和吸波填料的填充下，往往忽略了兩者在有機硅體系相容性的差異問題，很難兼具兩者的良好均勻分散，分散效果不好，導(dǎo)致導(dǎo)熱及吸波性能均達(dá)不到理想的效果，難以解決導(dǎo)熱吸波材料的導(dǎo)熱性和吸波性能兼具問題。

發(fā)明內(nèi)容

如無特殊說明，本發(fā)明中的“組分”、“份”均指“質(zhì)量份”。

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種寬頻導(dǎo)熱吸波墊片及其制備方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明實施例公開了一種寬頻導(dǎo)熱吸波墊片制備方法，包括如下步驟：

S1、通過去離子水、表面活性劑、鋁鹽、緩沖劑、吸波粉體、氨水以及無水乙醇，按照第一預(yù)設(shè)程序制得改性吸波粉體；具體地，S11、在100份去離子水中，依次加入0.1～2份表面活性劑、0.5～5份鋁鹽、0.5～2份緩沖劑，調(diào)節(jié)PH為6～7.5，充分?jǐn)嚢杈鶆颍@得均勻混合液；S12、在所述均勻混合液中加入100～450份吸波粉體，100～600份濃度為15％～30％的氨水，通過超聲分散0.5～1h，獲得混合漿液；S13、將所述混合漿液保溫加熱處理3～5h，獲得表面有前驅(qū)體包覆的吸波粉體；S141、將所述表面有前驅(qū)體包覆的吸波粉體，以無水乙醇進行抽濾、洗滌2～3遍，獲得濾洗過的吸波粉體；S142、冷凍干燥所述濾洗過的吸波粉體，獲得冷干吸波粉體，并置于管式爐中；S143、將管式爐中置于磁場中，并向所述管式爐中通入氮氣，其中，所述磁場的磁感應(yīng)強度為0.5～8T，氮氣流速為15～100ml/min；S144、以800～1100℃高溫煅燒所述管式爐2～8h，獲得改性的吸波粉體；