[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及用于產(chǎn)生其布局圖的方法及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011082984.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112987174B | 公開（公告）日： | 2023-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭豐維;周淳樸;陳煥能;卓聯(lián)洲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/122 | 分類號(hào)： | G02B6/122;G02F1/01;H01S5/00 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 以及 用于 產(chǎn)生 布局 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
晶體管層，包括：
至少一個(gè)晶體管的組件；
波導(dǎo)，具有在第一方向上延伸的長軸，且與所述至少一個(gè)晶體管組件并排設(shè)置；以及
第一內(nèi)連層，在所述波導(dǎo)與所述至少一個(gè)晶體管組件之上；
由金屬化層與一或多個(gè)第二內(nèi)連層形成的堆疊，在所述晶體管層的所述第一內(nèi)連層之上，所述一個(gè)或多個(gè)第二內(nèi)連層夾置在所述金屬化層中對(duì)應(yīng)的成對(duì)的相鄰金屬化層之間；以及
加熱器，在所述第一內(nèi)連層中或者在所述一個(gè)或多個(gè)第二內(nèi)連層之一中；且
其中相對(duì)于與所述第一方向?qū)嵸|(zhì)上垂直的第二方向而言，所述加熱器與所述波導(dǎo)的至少一部分實(shí)質(zhì)上交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
所述波導(dǎo)是肋形波導(dǎo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于與所述第一方向及所述第二方向中的每一者實(shí)質(zhì)上垂直的第三方向而言，所述肋形波導(dǎo)包括：
平板部分：以及
肋形部分，堆疊在所述平板部分上；
相對(duì)于所述第二方向而言，所述肋形部分具有第一寬度；
相對(duì)于所述第二方向而言，所述平板部分的端部部分不與所述肋形部分交疊，且具有第二寬度；且
所述第一寬度相對(duì)于所述第二寬度的比率在0.185至0.25的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于所述第二方向而言，所述平板部分具有第三寬度；
所述第一寬度相對(duì)于所述第三寬度的比率在0.083至0.111的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于所述肋形部分在所述第二方向上的所述第一寬度而言，且相對(duì)于所述肋形部分在所述第三方向上的高度而言，所述肋形部分具有實(shí)質(zhì)上正方形形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于所述第二方向而言，所述加熱器的第四寬度與所述平板部分的所述第二寬度實(shí)質(zhì)上相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
所述由金屬化層與所述一或多個(gè)第二內(nèi)連層形成的堆疊進(jìn)一步包括：
第一金屬化層，在所述晶體包括管層之上；以及
第二金屬化層，在所述第一金屬化層之上；且
所述一個(gè)或多個(gè)第二內(nèi)連層包括在所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的一者；且
所述加熱器在所述第一內(nèi)連層或所述一個(gè)或多個(gè)第二內(nèi)連層的所述一者中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
所述加熱器在所述一個(gè)或多個(gè)第二內(nèi)連層的所述一者中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于所述第一方向及所述第二方向而言，所述加熱器具有實(shí)質(zhì)上正方形形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于與所述第一方向及所述第二方向中的每一者實(shí)質(zhì)上垂直的第三方向而言，所述波導(dǎo)包括：
平板部分：以及
肋形部分，堆疊在所述平板部分上；
相對(duì)于所述第二方向而言，所述肋形部分具有第一寬度；
相對(duì)于所述第二方向而言，所述加熱器具有第四寬度；且
所述第一寬度相對(duì)于所述第四寬度的比率在0.083至0.25的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述加熱器包含：
TaN、TiN或者包含TaN及TiN的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：
相對(duì)于所述第一方向及所述第二方向而言，所述波導(dǎo)包括具有第一形狀的第一部分，且所述加熱器具有與所述第一形狀相似的第二形狀；且
所述第二形狀的大小被設(shè)定成與所述第一部分的至少80％交疊。
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