[發明專利]具有受控超調的高速高帶寬垂直腔面發射激光器在審
| 申請號： | 202011050268.8 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112600073A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | I·卡利法;E·門托維奇 | 申請（專利權）人： | 邁絡思科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/187 | 分類號： | H01S5/187;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京天瀾智慧知識產權代理有限公司 11558 | 代理人： | 尚繼棟;師琦 |
| 地址： | 以色列*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 受控 高速 帶寬 垂直 發射 激光器 | ||
1.一種垂直腔面發射激光器(VCSEL)，包括：
設置在基板上的臺面結構，所述臺面結構包括：
第一反射器；
第二反射器，以及
有源腔材料結構，所述有源腔材料結構設置在所述第一反射器和所述第二反射器之間，其中所述第二反射器包括從所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器預定深度的開口。
2.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述預定深度在約20nm至55nm的范圍內。
3.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述預定深度在約15nm至25nm的范圍內。
4.根據權利要求1所述的VCSEL，進一步包括設置在所述第二反射器的所述第二表面上的蓋層和觸點。
5.根據權利要求4所述的VCSEL，其中(a)所述觸點定義孔徑，(b)所述開口定義開口直徑，并且(c)所述孔徑與所述開口直徑近似相同。
6.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述開口定義與所述第二反射器定義的第二反射器直徑近似相同的開口直徑。
7.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的光子壽命在約5.5ps和1ps的范圍內。
8.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述開口通過蝕刻形成。
9.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述VCSEL的調制帶寬為17GHz或更大。
10.根據權利要求1所述的VCSEL，其中所述第一反射器和所述第二反射器中的至少一個包括半導體分布式布拉格反射器(DBR)。
11.一種用于制造垂直腔面發射激光器(VCSEL)的方法，所述方法包括：
干蝕刻VCSEL毛坯以定義臺面結構；
濕蝕刻所述臺面結構，以定義發射結構，所述發射結構包括第一反射器、第二反射器，以及夾在所述第一反射器和所述第二反射器之間的有源區域；以及
將開口蝕刻至所述第二反射器中，所述開口從所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器預定深度。
12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括在所述第二反射器的所述第二表面上沉積介電蓋層。
13.根據權利要求12所述的方法，其中所述介電蓋層在所述開口蝕刻到所述第二反射器中之前沉積。
14.根據權利要求12所述的方法，其中所述介電蓋層在所述開口蝕刻到所述第二反射器中之后沉積。
15.根據權利要求12所述的方法，進一步包括在所述介電蓋層上沉積觸點。
16.根據權利要求15所述的方法，其中(a)所述觸點定義孔徑，(b)所述開口定義開口直徑，并且(c)所述孔徑與所述開口直徑近似相同。
17.根據權利要求11所述的方法，其中所述預定深度在約20nm至55nm的范圍內。
18.根據權利要求11所述的方法，其中所述預定深度在約15nm至25nm的范圍內。
19.根據權利要求11所述的方法，其中使用濕蝕刻將所述開口蝕刻到所述第二反射器中。
20.一種用于制造垂直腔面發射激光器(VCSEL)的方法，所述方法包括：
干蝕刻VCSEL毛坯以定義臺面結構；以及
濕蝕刻所述臺面結構，以定義發射結構，所述發射結構包括第一反射器、第二反射器，以及夾在所述第一反射器和所述第二反射器之間的有源區域，其中所述第二反射器包括從所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器預定深度的開口。
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