本申請公開了一種半導體器件的制造方法，涉及半導體制造領域。該半導體器件的制造方法包括對半導體襯底進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，所述半導體襯底上還形成有虛設焊盤和芯片端頭；向刻蝕腔體內通入反應氣體，同時令所述刻蝕腔體內保持預定低壓和預定流量，抽除所述刻蝕腔體內反應生成的副產物；對所述半導體襯底進行濕法清洗；其中，所述反應氣體至少包括O₂；解決了目前濕法清洗去除聚合物能力不足的問題；達到了改善多晶硅刻蝕后半導體襯底表面顆粒缺陷的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種半導體器件的制造方法。

背景技術

在半導體器件的生產制造中，光刻工藝及刻蝕工藝是必不可少的，通過光刻工藝和刻蝕工藝將掩膜版上的圖形復制到半導體襯底上。刻蝕過程會產生一些聚合物(polymer)，這些聚合物會殘留在半導體襯底上，由于殘留的聚合物會增加器件表面的顆粒和污染物，影響器件性能，需要在在后續的工藝步驟中去除。

目前，在低透光率90E-flash產品的生產過程中，經過傳統刻蝕工藝及濕法清洗后，發現虛設焊盤(dummy pad)和芯片(cell)端頭溝槽內仍有聚合物殘留，如圖1和圖2所示，虛線圈出部分為聚合物顆粒，半導體襯底表面形成微粒缺陷，濕法清洗無法有效地去除聚合物。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種半導體器件的制造方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種半導體器件的制造方法，該方法包括：

對半導體襯底進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，半導體襯底上還形成有虛設焊盤和芯片端頭；

向刻蝕腔體內通入反應氣體，同時令所述刻蝕腔體內保持預定低壓和預定流量，抽除刻蝕腔體內反應生成的副產物；

對半導體襯底進行濕法清洗；

其中，反應氣體至少包括O₂。

可選的，反應氣體包括O₂和CF₄。

可選的，預定低壓為5mt-15mt。

可選的，在向所述刻蝕腔體內通入反應氣體時，刻蝕機臺的等離子源功率為800W-1200W。

可選的，預定流量為150sccm-300sccm。

可選的，向刻蝕腔體內通入反應氣體的時間為40s-60s。

可選的，進行多晶硅柵刻蝕處理，形成多晶硅柵，包括：

在半導體襯底上形成多晶硅層；

在多晶硅層上形成硬掩膜層；

通過光刻工藝在硬掩膜層形成多晶硅柵圖案；

根據多晶硅柵圖案刻蝕多晶硅層，形成多晶硅柵。

可選的，硬掩膜層為二氧化硅層。

可選的，芯片端頭具有溝槽狀結構。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過在多晶硅柵刻蝕的處理工藝后，向刻蝕腔體內通入含氧氣的反應氣體，同時以預定低壓和預定流量抽除刻蝕腔體內反應生成的副產物，對半導體襯底上的聚合物進行一次干法剝除，再對半導體襯底進行濕法清洗；在不增加反應腔體的情況下，徹底去除半導體襯底上的聚合物；解決了目前濕法清洗去除聚合物能力不足的問題；達到了改善多晶硅刻蝕后半導體襯底表面顆粒缺陷的效果。

附圖說明