[發明專利]一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法有效
| 申請號： | 202011021448.3 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112111721B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 張俊彥;賈倩;張斌;高凱雄;張興凱;賴振國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06;H01M8/021;H01M8/0213;H01M8/0228 |
| 代理公司： | 蘭州智和專利代理事務所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 張英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 crcuc 梯度 漸變 crcu 復合 薄膜 極板 制備 方法 | ||
1.一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，是采用真空高功率微脈沖磁控濺射技術，以CrCu靶作為濺射靶材，先在不銹鋼表面沉積純CrCu金屬過渡層，再由甲烷氣體提供碳源，在CrCu金屬過渡層上濺射沉積CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜；具體沉積工藝如下：
（1）將不銹鋼基底進行拋光，分別用丙酮清洗液、乙醇清洗液超聲清洗15~20 min，去除表面雜質和有機污染物，然后用氮氣吹干，置入鍍膜真空室準備鍍膜；
（2）將真空系統抽至1.0×10-3 Pa以下，通入氬氣；開啟高偏壓，控制氬氣氣壓1.5~2.0Pa，偏壓800~900 V，對靶材表面和不銹鋼樣品表面進行刻蝕清洗；時間為15~20min；
（3）調偏壓至100~150 V，氬氣氣壓1.4~1.5 Pa，磁控濺射沉積純CrCu過渡層；平均電流為6.5 A，電壓700 V，占空比20%，脈沖長度3000 ms；
（4）靶平均電流保持不變，調整占空比40%，脈沖長度1200 ms；調整偏壓至300~400 V，氬氣氣壓1.4~1.5 Pa；通入甲烷30~40 min，沉積 CrCuC梯度過渡層，厚度400~500 nm；
（5）調偏壓至350~450 V，甲烷流量為40~60 sccm，調整占空比20%，脈沖長度2000 ms，保持其他條件不變，濺射沉積CrCu摻雜C碳薄膜。
2.如權利要求1所述一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，其特征在于：不銹鋼基底采用316L不銹鋼。
3.如權利要求1所述一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，其特征在于：純CrCu金屬過渡層的沉積中，沉積時間15~25 min，CrCu金屬過渡層的厚度為330~350nm。
4.如權利要求1所述一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，其特征在于： CrCuC梯度過渡層的沉積中，將甲烷逐漸加至 40~60 sccm，沉積厚度為400~500 nm。
5.如權利要求1所述一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，其特征在于：CrCu摻雜C碳薄膜的沉積中，以CrCu:C成分7:3的靶作為濺射靶材。
6.如權利要求1所述一種CrCuC梯度漸變CrCu復合碳薄膜雙極板的制備方法，其特征在于：CrCu摻雜C碳薄膜的沉積中，沉積時間為40~60 min，CrCuC梯度漸變碳薄膜的厚度為1.2~1.5μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院蘭州化學物理研究所，未經中國科學院蘭州化學物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/202011021448.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
