[發明專利]殘膠清除方法在審
| 申請號： | 202011012230.1 | 申請日： | 2020-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN112117184A | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發明（設計）人： | 張哲瑋;蔡奇澄;賀遵火;吳仕偉 | 申請（專利權）人： | 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 張洋 |
| 地址： | 250000 山東省濟南市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清除 方法 | ||
1.一種殘膠清除方法，用于清洗基板上的殘膠，其特征在于，包括以下步驟：
對所述基板進行冷凍處理，使附著在所述基板上的殘膠脆化；
去除脆化的所述殘膠。
2.根據權利要求1所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述冷凍處理的冷凍溫度在5℃至15℃之間。
3.根據權利要求1或2所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述冷凍處理的冷凍時長在90min至120min之間。
4.根據權利要求1所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述去除脆化的所述殘膠，包括：
對所述基板進行清洗；
去除清洗后的所述殘膠。
5.根據權利要求4所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述對所述基板進行清洗包括：
采用化學試劑對所述基板進行清洗，其中，所述化學試劑用于與所述殘膠進行化學反應。
6.根據權利要求5所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述化學試劑為氨水。
7.根據權利要求6所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述氨水的濃度在28mol/L至30mol/L之間。
8.根據權利要求5所述的殘膠清除方法，其特征在于，所述化學試劑為硫酸、雙氧水或者硫酸與雙氧水的混合液。
9.根據權利要求4所述的殘膠清除方法，其特征在于，在所述去除清洗后的所述殘膠之后，還包括：
檢測所述基板上是否還殘留有所述殘膠；
若是，則重新對所述基板進行冷凍處理，使附著在所述基板上的殘膠脆化。
10.根據權利要求4所述的殘膠清除方法，其特征在于，在所述去除清洗后的所述殘膠之后，還包括：
檢測所述基板上是否還殘留有所述殘膠；
若是，則重新對所述基板進行清洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
