[發明專利]一種IBC太陽能電池結構及其制備工藝在審

申請號：	202011011919.2	申請日：	2020-09-23
公開（公告）號：	CN111987225A	公開（公告）日：	2020-11-24
發明（設計）人：	趙保星;魏青竹;倪志春;張樹德;符欣;連維飛	申請（專利權）人：	蘇州騰暉光伏技術有限公司
主分類號：	H01L51/42	分類號：	H01L51/42;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/48
代理公司：	蘇州華博知識產權代理有限公司 32232	代理人：	楊敏
地址：	215500 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種 ibc 太陽能電池結構及其制備工藝
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種IBC太陽能電池結構，其特征在于，包括依次層疊設置的減反射層、正面鈍化膜層、p型擴散層、n型單晶硅基底層、背面鈍化膜層、有機異質結層、背面導電保護層、背面電極；

所述n型單晶硅基底層包括正面和背面，所述正面構造為絨面結構；所述正面包括p型擴散層且所述p型擴散層形成有正面p+型發射區；所述背面形成圖形化的有機異質結層，所述有機異質結層包括p型有機異質結層和n型有機異質結層，所述p型有機異質結層和n型有機異質結層中間有形成空間隔離區；所述有機異質結層平整貼附于所述背面鈍化膜層。

2.根據權利要求1所述的IBC太陽能電池結構，其特征在于，所述減反射層為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化鎂中一種或多種。

3.根據權利要求1所述的IBC太陽能電池結構，其特征在于，所述正面鈍化膜層包括層疊設置的氧化鋁層和氧化硅層，所述氧化鋁層貼合設置于所述減反射層，所述氧化硅層貼合設置于所述p型擴散層。

4.根據權利要求1所述的IBC太陽能電池結構，其特征在于，所述p型擴散層通過硼擴散或硼離子注入形成。

5.根據權利要求1所述的IBC太陽能電池結構，其特征在于，所述背面導電保護層構造為透明導電TCO保護層，所述TCO選自ZnO、In₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、ZrO₂中的一種或多種混合物。

6.一種IBC太陽能電池結構的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括以下步驟：

S1、對n型單晶硅片的正面和反面進行制絨，制備出金字塔形狀的絨面結構；

S2、在所述n型單晶硅片的正面進行進行硼擴散形成p層，對n型單晶硅片的正面進行局域摻雜，形成正面pn結發射區；

S3、用酸或減溶液對n型單晶硅片的背面進行刻蝕拋光，去除背面擴散層和側面導電通道；

S5、在氧化爐中對n型單晶硅片進行熱氧化，在正面形成氧化硅層；

S6、在正面沉積鈍化減反射層；

S7、用酸溶液對n型單晶硅片的背面進行清洗；

S8、對背面進行氧化退火，在背面沉積氧化硅鈍化層；