本申請實施例提供一種晶圓片減薄方法、裝置和卸片夾具，將多個待減薄晶圓片與基板進行鍵合處理，得到多個鍵合后晶圓片；對所述多個鍵合后晶圓片進行一次減薄處理，得到多個一次減薄后晶圓片；對所述多個一次減薄后晶圓片進行二次減薄處理，得到多個待解鍵合晶圓片；對所述多個待解鍵合晶圓片進行解鍵合處理，得到多個減薄后的晶圓片；對所述多個待解鍵合晶圓片進行解鍵合處理，得到多個減薄后的晶圓片。這樣，在第一設備對晶圓片進行減薄后，再利用第二設備對晶圓片進行減薄，能夠去除一次減薄過程中所造成的放射紋和損傷層，有效避免了后續進行更加復雜的加工處理，從而降低了晶圓片減薄的加工成本，同時提高了晶圓片減薄的加工效率。

技術領域

本申請涉及半導體加工技術領域，尤其涉及一種晶圓片減薄方法、裝置和卸片夾具。

背景技術

從集成電路斷面結構來看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。集成電路制造工藝對晶圓片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結構提出了很高要求。因此，在集成電路制造工藝中并不會從一開始就采用非常薄的晶圓片，而是采用一定厚度的晶圓片在制造工藝過程中傳遞、流傳，然后在集成電路封裝前從晶圓片的背面去除一定厚度的基體材料，即晶圓片減薄工藝。

然而，針對晶圓片的減薄處理，目前的相關技術方案仍然存在加工成本高和效率低的問題。

發明內容

本申請實施例提供了一種晶圓片減薄方法、裝置和卸片夾具，能夠降低晶圓片減薄的加工成本以及提高晶圓片減薄的加工效率。

本申請實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供了一種晶圓片減薄方法，該方法包括：

將多個待減薄晶圓片與基板進行鍵合處理，得到多個鍵合后晶圓片；

對所述多個鍵合后晶圓片進行一次減薄處理，得到多個一次減薄后晶圓片；其中，所述一次減薄處理用于指示通過第一設備進行減薄處理；

對所述多個一次減薄后晶圓片進行二次減薄處理，得到多個待解鍵合晶圓片；其中，所述二次減薄處理用于指示通過第二設備進行減薄處理；

對所述多個待解鍵合晶圓片進行解鍵合處理，得到多個減薄后的晶圓片；

其中，所述第一設備為grinding磨削設備，所述第二設備為lapping研磨設備。

第二方面，本申請施例提供了一種晶圓片減薄裝置，該晶圓片減薄裝置包括粘片機、第一設備、第二設備和卸片夾具；其中，

粘片機，用于將多個待減薄晶圓片與基板進行鍵合處理，得到多個鍵合后晶圓片；

第一設備，用于對所述多個鍵合后晶圓片進行一次減薄處理，得到多個一次減薄后晶圓片；

第二設備，對所述多個一次減薄后晶圓片進行二次減薄處理，得到多個待解鍵合晶圓片；

卸片夾具，用于對所述多個待解鍵合晶圓片進行解鍵合處理，得到多個減薄后的晶圓片；

其中，所述第一設備為grinding磨削設備，所述第二設備為lapping研磨設備。

第三方面，本申請施例提供了一種卸片夾具，所述卸片夾具包括支撐組件、卸片組件；其中，

所述支撐組件包括底板、立柱、活動桿和提把，所述立柱固定于所述底板上，所述活動桿與所述底板活動連接，所述提把與所述立柱的頂端固定連接，且與所述活動桿的頂端可拆卸連接；

所述卸片組件包括多個卸片層板，所述多個卸片層板套裝在所述立柱上，且每一卸片層板上設置有夾持件，所述夾持件用于夾持基板。