[發(fā)明專利]電子設備外殼納米光學連續(xù)鍍膜生產線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010989244.2 | 申請日: | 2020-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN111962040A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王建峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市嘉德真空光電有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56 |
| 代理公司: | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人: | 鄭學偉;葉利軍 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 外殼 納米 光學 連續(xù) 鍍膜 生產線 | ||
1.一種電子設備外殼納米光學連續(xù)鍍膜生產線,其特征在于,包括:
第一鍍膜真空箱,所述第一鍍膜真空箱包括第一鍍膜真空室及第二鍍膜真空室,所述第二鍍膜真空室與所述第一鍍膜真空室相連通;
第一鍍膜機組,所述第一鍍膜機組組配置在所述第一鍍膜真空室內,用以在進入至所述第一鍍膜真空室內的基材上鍍設打底層;
第二鍍膜機組,所述第二鍍膜機組配置在所述第二鍍膜真空室內,用以在所述打底層上鍍設光學增亮層;
第二鍍膜真空箱,所述第二鍍膜真空箱包括第三鍍膜真空室及第四鍍膜真空室,所述第四鍍膜真空室與所述第三鍍膜真空室相連通;
第三鍍膜機組,所述第三鍍膜機組配置在所述第三鍍膜真空室內,用以在所述光學增亮層上鍍設非導電金屬增亮層;
第四鍍膜機組,所述第四鍍膜機組配置在所述第四鍍膜真空室內,用以在所述非導電金屬增亮層上鍍設保護層;
氣氛隔離箱,所述氣氛隔離箱連接在所述第一鍍膜真空箱和第二鍍膜真空箱之間,且所述氣氛隔離箱與所述第一鍍膜真空箱之間具有可啟閉的第一隔離門,所述氣氛隔離箱與所述第二鍍膜真空箱之間具有可啟閉的第二隔離門;
第一真空機組,所述第一真空機組與所述第一鍍膜真空箱相連,用于對所述第一鍍膜真空箱抽真空;
第二真空機組,所述第二真空機組與所述第二鍍膜真空箱及氣氛隔離箱相連,用于對所述第二鍍膜真空箱及氣氛隔離箱抽真空。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子設備外殼光學連續(xù)鍍膜設備,其特征在于,所述第一鍍膜真空箱內為充入氧氣和惰性氣體的第一真空環(huán)境,所述第二鍍膜真空箱提供充入惰性氣體且不含氧的第二真空環(huán)境。
3.根據(jù)權利要求1所述的電子設備外殼光學連續(xù)鍍膜設備,其特征在于,還包括:
進料真空箱,所述進料真空箱的入口設有可啟閉的第三隔離門;
進料緩沖箱,所述進料緩沖箱的入口與所述進料真空箱的出口連通,且所述進料緩沖箱的入口與所述進料真空箱的出口之間設有可啟閉的第四隔離門,所述進料緩沖箱的出口與所述第一鍍膜真空箱連通,且所述進料緩沖箱的出口與所述第一鍍膜真空箱之間設有可啟閉的第五隔離門。
4.根據(jù)權利要求1所述的電子設備外殼光學連續(xù)鍍膜設備,其特征在于,還包括:
第一輝光放電設備,所述第一輝光放電設備設在所述進料真空箱內,用于對進入至所述進料真空箱內的基材進行放電轟擊;和/或,
第二輝光放電設備,所述第二輝光放電設備設在所述進料緩沖箱內,用于對進入至所述進料緩沖箱內的基材進行放電轟擊。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子設備外殼光學連續(xù)鍍膜設備,其特征在于,所述光學增亮層包括附著層、第一光學增亮層及第二光學增亮層;
所述第二鍍膜真空室包括依次連通的第一鍍膜真空段、第二鍍膜真空段及第三鍍膜真空段,所述第一鍍膜真空段與所述第一鍍膜真空室連通,所述第三鍍膜真空段與所述氣氛隔離箱通過所述第一隔離門連通;
所述第二鍍膜機組包括第一鍍膜設備、第二鍍膜設備及第三鍍膜設備,所述第一鍍膜設備設在所述第一鍍膜真空段內,用于在所述打底層上鍍設附著層;所述第二鍍膜設備設在所述第二鍍膜真空段內,用于在所述附著層上鍍設所述第一光學增亮層;所述第三鍍膜設備設在所述第三鍍膜真空段內,用于在所述第一光學增亮層上鍍設第一光學增亮層,所述第一光學增亮層與所述第二光學增亮層的折射率不同。
6.根據(jù)權利要求5所述的電子設備外殼光學連續(xù)鍍膜設備,其特征在于,所述第二鍍膜真空段包括多個第一真空子段,多個所述第一真空子段依次連通,每個所述第一真空子段配置至少一個所述第二鍍膜設備,以通過多個所述第二鍍膜設備在所述附著層上多次鍍膜,形成所述第一光學增亮層;
所述第三鍍膜真空段包括多個第二真空子段,多個所述第二真空子段依次連通,每個所述第二真空子段配置至少一個所述第三鍍膜設備,以通過多個所述第三鍍膜設備在所述附著層上多次鍍膜,形成所述第二光學增亮層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





