[發(fā)明專利]用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010987508.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112210817A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李鐘海;徐洙瑩;裴悠松 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東國(guó)晶電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B11/00 | 分類號(hào)： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 濟(jì)南智本知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37301 | 代理人： | 張平平;谷冬清 |
| 地址： | 257000 山東省東營(yíng)市東營(yíng)區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 碳化硅 單晶體 生長(zhǎng) 過程 溫度 控制 組裝 坩堝 裝置 | ||
1.用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，包括：用于容納碳化硅原料的坩堝鍋體以及與坩堝鍋體配合設(shè)置的坩堝蓋；其特征在于：碳化硅原料置于坩堝鍋體內(nèi)腔底部，碳化硅晶種置于坩堝蓋底面；所述坩堝鍋體與坩堝蓋之間設(shè)置有與兩者緊密配合的內(nèi)部支撐管，內(nèi)部支撐管腔體內(nèi)容納所述的碳化硅晶種；所述內(nèi)部支撐管外壁縱向套裝有至少兩個(gè)不同外徑的密封碳環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：坩堝蓋底面設(shè)置有凸起部位，碳化硅晶種置于該凸起部位且該凸起部位插入內(nèi)部支撐管上端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：內(nèi)部支撐管上端口內(nèi)徑與所述凸起部位外徑相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：內(nèi)部支撐管下端插入坩堝鍋體內(nèi)腔，且內(nèi)部支撐管下端口外徑與坩堝鍋體上端口內(nèi)徑相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：坩堝鍋體上端面與坩堝蓋底面之間，沿內(nèi)部支撐管高度方向套裝至少兩個(gè)不同外徑的密封碳環(huán)，自下而上密封碳環(huán)外徑遞增。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：所述內(nèi)部支撐管的縱向剖面為長(zhǎng)方形或等腰梯形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅單晶體生長(zhǎng)過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，其特征在于：所述坩堝采用線圈感應(yīng)加熱組和/或電阻加熱。
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