[發(fā)明專利]一種帶場板結(jié)構(gòu)的高可靠性氮化物器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010946052.3 | 申請日： | 2020-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN111863947A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州晶界半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 板結(jié) 可靠性 氮化物 器件 | ||
1.一種帶場板結(jié)構(gòu)的高可靠性氮化物器件，其特征在于，包括：
襯底；
形成于襯底上的氮化物緩沖層；
形成于氮化物緩沖層上的氮化物溝道層；
形成于氮化物溝道層上的氮化物勢壘層；
形成于氮化物勢壘層上的柵介質(zhì)層；
形成于柵介質(zhì)層上的絕緣介質(zhì)層；
形成于絕緣介質(zhì)層上的漏極，漏極的底端部分形成于氮化物勢壘層上；
形成于柵介質(zhì)層上的柵極場板結(jié)構(gòu)，所述柵極場板結(jié)構(gòu)向靠近所述漏極一側(cè)延伸；
形成于絕緣介質(zhì)層上的源極場板結(jié)構(gòu)，所述源極場板結(jié)構(gòu)的底端部分形成于氮化物勢壘層上，并且所述源極場板結(jié)構(gòu)在所述柵極場板結(jié)構(gòu)延伸的方向上延伸；
柵極場板結(jié)構(gòu)，位于所述漏極和所述源極場板結(jié)構(gòu)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶場板結(jié)構(gòu)的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述襯底采用的材料為Si3N4、HfO2、AlN、GaN、SiC、Ga2O3、Al2O3或金剛石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶場板結(jié)構(gòu)的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述氮化物溝道層刻蝕有深度為20-400nm的凹槽，用于提升所述柵極場板結(jié)構(gòu)對氮化物器件的控制能力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種帶場板結(jié)構(gòu)的高可靠性氮化物器件，其特征在于，所述氮化物勢壘層通過二次外延生長形成于帶有凹槽的氮化物溝道層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
