[發明專利]一種碳化硅驅動裝置在審
| 申請號: | 202010935515.6 | 申請日: | 2020-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN114157172A | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發明(設計)人: | 易瑞良;韓非;任兆廷 | 申請(專利權)人: | 商飛信息科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/48 | 分類號: | H02M7/48;H02M7/538;H02M7/5387;H02M5/458;H02M1/088;H02M1/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 驅動 裝置 | ||
本發明提供一種碳化硅驅動裝置,屬于電源、電力電子技術領域,包括:處理板,處理板上設有調理電路,調理電路用于對輸入的脈沖寬度調制信號進行調理處理;以及,驅動板,驅動板與處理板連接,驅動板上設有驅動模塊和碳化硅模塊,驅動模塊用于對調理處理后的脈沖寬度調制信號進行升壓處理,碳化硅模塊用于對升壓處理后的脈沖寬度調制信號進行逆變處理并產生可調電流信號和或可調電壓信號;其中,驅動模塊支持頻率大于或等于1000 KHZ的脈沖信號;碳化硅模塊的開關頻率為800 KHZ?1000 KHZ。本發明的碳化硅驅動裝置解決了現有技術中驅動器開關頻率低的問題。
技術領域
本發明屬于電源、電力電子技術領域,尤其涉及一種碳化硅驅動裝置。
背景技術
目前主流的驅動器主要采用智能模塊IPM(Intelligent Power Module)、PIM(Power Integrated Module)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等功率模塊,一般開關頻率最大僅為20KHZ,而對于使用IPM智能集成功率模塊而言散熱方面是一大短板。驅動器的技術主要包括:整流電路技術、直流緩沖電路技術、逆變電路技術、電流電壓采樣電路技術、保護電路技術、復位電路技術、均壓電路技術以及編碼器采樣電路技術等等。對于驅動器通常有如下技術要求:1、逆變要求:支持交-直-交(AC-DC-AC)整流逆變功能,直-交(DC-AC)逆變功能;2、采樣要求:編碼器采樣、母線電壓采樣、輸出電流采樣及溫度采樣;3、保護要求:輸出電流過流、母線過壓、過溫及過載保護。
然而現有驅動器存在的多個技術問題是:1、開關頻率低,最大僅為20KHZ;
2、內阻大、開關損耗大,溫升大、逆變效率低;3、緩沖電路與復位電路與使能電路都是分開設計,不方便用戶使用,容易燒緩沖電阻與炸機;3、支持編碼器種類少;4、DSP(DigitalSignal Processing)/ARM(Advanced RISC Machine)/FPGA(Field Programmable GateArray)的程序固化,使用者不能進行二次開發。在這些技術問題中急需解決的是開關頻率低的問題。
發明內容
本發明實施例提供一種碳化硅驅動裝置,以解決現有技術中驅動器開關頻率低的問題。
為解決上述技術問題,一方面,本發明實施例提供了一種碳化硅驅動裝置,包括:
處理板,所述處理板上設有調理電路,所述調理電路用于對輸入的脈沖寬度調制信號進行調理處理;
以及,驅動板,所述驅動板與所述處理板連接,所述驅動板上設有驅動模塊和碳化硅模塊,所述驅動模塊用于對調理處理后的所述脈沖寬度調制信號進行升壓處理,所述碳化硅模塊用于對升壓處理后的所述脈沖寬度調制信號進行逆變處理并產生可變電流信號和或可變電壓信號;
其中,所述驅動模塊支持頻率大于或等于1000 KHZ的脈沖信號;
所述碳化硅模塊的開關頻率為800 KHZ-1000 KHZ。
根據本發明的一實施方式,所述驅動模塊包括驅動芯片,所述驅動芯片的型號為ACPL-352J。
根據本發明的另一實施方式,所述驅動模塊還包括與所述驅動芯片連接的推挽電路,所述推挽電路用于對所述驅動芯片接收的所述脈沖寬度調制信號進行推挽升壓處理。
根據本發明的另一實施方式,所述驅動板還包括驅動電源,所述驅動電源的型號為QA151M。
根據本發明的另一實施方式,所述碳化硅模塊為英飛凌碳化硅模塊。
根據本發明的另一實施方式,所述碳化硅模塊的型號為FF11MR12W1M1。
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