[發明專利]靜電吸附方法和等離子體處理裝置在審
| 申請號： | 202010921226.0 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN112490103A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 池上真史 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 吸附 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種靜電吸附方法，在該靜電吸附方法中，
針對在用于載置基板和環構件的載置臺的內部的至少與所述環構件對應的區域設置的電極，按等離子體處理的每個處理單位施加不同極性的電壓，所述基板為等離子體處理的對象，所述環構件包圍所述基板的周圍。
2.根據權利要求1所述的靜電吸附方法，其特征在于，
在更換所述基板來對各基板連續地實施等離子體處理的情況下，所述處理單位設為規定張數的基板單位，在針對每個所述基板對該基板實施等離子體處理后實施后處理的情況下，所述處理單位設為所述等離子體處理和所述后處理的單位。
3.根據權利要求1或2所述的靜電吸附方法，其特征在于，
所述電極在所述環構件的徑向上設置有多個。
4.根據權利要求3所述的靜電吸附方法，其特征在于，
對相鄰的所述電極施加極性不同的電壓。
5.根據權利要求2所述的靜電吸附方法，其特征在于，
所述后處理為在所述載置臺上不載置所述基板的狀態下實施的干洗。
6.根據權利要求5所述的靜電吸附方法，其特征在于，
在所述等離子體處理與所述干洗之間切換施加于所述電極的電壓的極性。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的靜電吸附方法，其特征在于，
在基板處理開始前，基于與實施的等離子體處理的種類相應的電荷移動信息以及閾值，決定按實施的等離子體處理的每個處理單位進行的電壓的極性的施加模式，來改變施加于電極的電壓的極性。
8.一種等離子體處理裝置，具有：
載置臺，其用于載置作為等離子體處理的對象的基板和包圍所述基板的周圍的環構件；以及
電極，其設置于所述載置臺的內部的至少與環構件對應的區域；以及
電壓施加部，其按等離子體處理的每個處理單位對所述電極施加不同極性的電壓。
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