本申請涉及字線時序管理。描述用于字線時序管理的方法、系統及裝置。在一些實例中，作為存取存儲器單元的一部分，可對數字線進行預充電。所述存儲器單元可包含存儲組件及選擇組件。字線可與所述選擇組件耦合，及可選擇所述字線以便通過所述選擇組件將所述存儲組件與所述數字線耦合。可在仍對所述數字線進行預充電時選擇所述字線，及在所述數字線的預充電結束之后，與所述數字線的預充電結束同時地，或在仍對所述數字線進行充電時，所述存儲組件可以減少的延遲與所述數字線耦合。還描述用于感測由所述存儲器單元存儲的邏輯狀態的相關技術。

交叉參考

本專利申請要求Di Vincenzo等人在2019年8月27日提交的標題為“字線時序管理”的第16/552,984號美國專利申請的優先權，所述美國專利申請轉讓給本受讓人且明確地以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

技術領域涉及存儲器裝置的字線時序管理。

背景技術

下文大體上涉及一種包含至少一個存儲器裝置的系統，且更確切地說，涉及字線時序管理。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置中。通過編程存儲器裝置的不同狀態來存儲信息。舉例來說，二進制裝置最經常存儲通常由邏輯1或邏輯0表示的兩個狀態中的一個。在其它裝置中，可存儲多于兩個狀態。為了存取所存儲的信息，裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一個所存儲狀態。為了存儲信息，裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(random accessmemory，RAM)、只讀存儲器(read-only memory，ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、閃存存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性的或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存儲器即使在不存在外部電源的情況下仍可維持其所存儲的邏輯狀態很長一段時間。例如DRAM的易失性存儲器裝置在與外部電源斷開連接時可能會丟失其所存儲的狀態。FeRAM可能夠實現類似于易失性存儲器的密度，但可具有非易失性特性，這是因為使用鐵電電容器作為存儲裝置。

通常，改進存儲器裝置可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度、增強可靠性、增加數據保持、減少功率消耗、減少存儲器單元上的應力，或降低制造成本等。

發明內容

描述一種方法。在一些實例中，所述方法可包含：從第一時間到第三時間使用電壓電源對與鐵電存儲器單元耦合的數字線進行預充電，其中所述鐵電存儲器單元包含鐵電電容器及與字線耦合；及在所述第一時間與所述第三時間之間的第二時間處及基于對所述數字線進行預充電選擇所述字線，以使所述鐵電電容器變成與所述數字線耦合。

描述一種設備。在一些實例中，所述設備可包含：鐵電存儲器單元，其包含鐵電電容器及選擇器組件；數字線，其與所述鐵電存儲器單元耦合；電壓電源，其經配置以在第一時間處與所述數字線耦合及在第三時間處從所述數字線解耦合；及字線，其與所述選擇器組件耦合及經配置以在所述第三時間之前的第二時間處進行選擇，其中所述選擇器組件經配置以基于選擇所述字線而將所述鐵電電容器與所述數字線耦合。

描述一種設備。在一些實例中，所述設備可包含：包含鐵電電容器的鐵電存儲器單元；與所述鐵電存儲器單元耦合的數字線；與所述鐵電存儲器單元耦合的字線；與所述數字線耦合的電壓電源；及存儲器控制器，其與所述鐵電存儲器單元、所述數字線、所述字線，及所述電壓電源耦合。所述存儲器控制器可經配置以使所述設備：在第一時間處起始使用所述電壓電源對所述數字線進行預充電；在所述第一時間之后的第二時間處基于起始對所述數字線進行預充電而選擇所述字線，其中在所述第二時間處選擇所述字線在所述第二時間之后的第三時間處或之前將所述鐵電電容器與所述數字線耦合；及在所述第三時間處停止對所述數字線進行預充電。

附圖說明