[發明專利]一種摻雜稀土元素的碳化硅粉料及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 202010613663.6 | 申請日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN111908472B | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發明（設計）人： | 靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 | 申請（專利權）人： | 山東天岳先進科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/956 | 分類號： | C01B32/956;C01B33/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 劉德順 |
| 地址： | 250118 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 稀土元素 碳化硅 料及 制備 方法 應用 | ||
1.一種摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述摻雜稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物摻雜在碳化硅晶相中；
所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料的制備方法包括下述步驟：
將稀土元素的硅化物、高純硅粉和高純碳粉在真空條件下，溫度1100~1600°C，反應至少5h，即得；
所述高純碳粉和高純硅粉的純度不低于99.9%；
所述稀土元素的硅化物通過以下制備方法獲得：將含稀土元素物質與高純硅粉進行高溫反應，即得；
所述高溫反應的條件為：將含稀土元素物質與高純硅粉在真空條件下，溫度1400~1800°C，反應1~5h；
所述高純碳粉和高純硅粉的質量總和與稀土元素的硅化物的質量比為100:0.001~5。
2.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的摻雜濃度為0.001~5wt%。
3.根據權利要求2所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的摻雜濃度為0.005~2.5wt%。
4.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述稀土元素選自鑭系元素、鈧和釔中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述稀土元素選自鈰、鑭、鐠、釹、鈧和釔中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述摻雜稀土元素的碳化硅粉料的純度不低于99.99%。
7.根據權利要求6所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述摻雜稀土元素的碳化硅粉料的純度不低于99.999%。
8.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述含稀土元素物質的純度不低于99.99%，所述含稀土元素物質為粒徑不大于100μm的固體粉末。
9.根據權利要求8所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，
所述含稀土元素物質為稀土元素的氧化物；
所述摻雜的稀土元素與高純硅粉的摩爾比為1:2~4。
10.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述高溫反應的條件為：將含稀土元素物質與高純硅粉在壓力不高于10-2Pa，溫度1500~1600°C，反應2~4h。
11.根據權利要求1所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料，其特征在于，所述高純碳粉和高純硅粉的質量總和與稀土元素的硅化物的質量比為100:0.005~2.5；
所述高純碳粉和高純硅粉的摩爾比為1~1.5:1；
所述高純碳粉和高純硅粉的粒徑不大于100μm。
12.權利要求1~11任一項所述的摻雜稀土元素的碳化硅粉料在制備高質量碳化硅晶體中的應用。
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