[發(fā)明專利]發(fā)光元件、顯示裝置、電子設(shè)備及照明裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010585313.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111710788B | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 渡部剛吉;瀨尾哲史;渡部智美 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | H10K50/11 | 分類號(hào)： | H10K50/11;H10K85/30;H10K59/12;H10K59/38;G06F3/042;H10K101/40 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志強(qiáng) |
| 地址： | 日本神奈*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 顯示裝置 電子設(shè)備 照明 裝置 | ||
1.一種發(fā)光元件，包含：
發(fā)光層，所述發(fā)光層包含：
第一材料；以及
分散所述第一材料的第二材料，
其中所述第一材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差比所述第二材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差大，
所述第一材料將三重激發(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光，
所述第二材料包括缺π電子型芳雜環(huán)骨架，
所述第二材料包括富π電子型芳雜環(huán)骨架和芳香胺骨架中的至少一個(gè)，
并且，所述第二材料的單重激發(fā)能級(jí)與三重激發(fā)能級(jí)的差大于0eV且為0.2eV以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料的所述LUMO能級(jí)與所述HOMO能級(jí)的能量差為從所述第一材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第一材料的所述LUMO能級(jí)與所述HOMO能級(jí)的能量差比從所述第一材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量大0.4eV以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料的所述LUMO能級(jí)與所述HOMO能級(jí)的能量差為所述第一材料的發(fā)光能量以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第一材料的所述LUMO能級(jí)與所述HOMO能級(jí)的能量差比所述第一材料的發(fā)光能量大0.4eV以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料在室溫下呈現(xiàn)熱活化延遲熒光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料將激發(fā)能量供應(yīng)到所述第一材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料的發(fā)光光譜具有與所述第一材料的吸收光譜中的最長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)的吸收帶重疊的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第一材料包含銥。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第一材料發(fā)射光。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述第二材料傳輸電子，
并且所述第二材料傳輸空穴。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中所述缺π電子型芳雜環(huán)骨架包括二嗪骨架和三嗪骨架中的至少一個(gè)，
并且所述富π電子型芳雜環(huán)骨架包括選自吖啶骨架、吩嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架和吡咯骨架中的一個(gè)或多個(gè)。
13.一種顯示裝置，包括：
根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件；以及
濾色片和晶體管中的至少一個(gè)。
14.一種電子設(shè)備，包括：
根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置；以及
框體和觸摸傳感器中的至少一個(gè)。
15.一種照明裝置，包括：
根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件；以及
框體和觸摸傳感器中的至少一個(gè)。
16.一種發(fā)光元件，包含：
第一材料；
第二材料；以及
第三材料，
其中所述第一材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差比所述第二材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差大，
所述第二材料為能夠基于單重激發(fā)態(tài)與三重激發(fā)態(tài)之間的反系間竄越發(fā)射延遲熒光的物質(zhì)，所述第二材料的單重激發(fā)能級(jí)與三重激發(fā)能級(jí)的差大于0eV且為0.2eV以下，
所述第三材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差比所述第二材料的LUMO能級(jí)與HOMO能級(jí)的能量差大，
所述第三材料包括咔唑基，
并且，所述第一材料將三重激發(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光。
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